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SUM70101EL 100 V P 沟道 MOSFET
Vishay 推出一种 P 沟道 MOSFET（SUM70101EL 100 V P-Channel MOSFET），可降低功耗和传导损耗并实现功率密度提升
发布时间：2018-06-13
Vishay Siliconix 的 SUM70101EL MOSFET 具有业内领先的 RDS(ON)（-10 V 时 0.0101 Ω、-4.5 V 时 0.015 Ω），这会最大限度降低传导损耗并提升效率。
SUM70101EL 100 V P 沟道 MOSFET特性
TrenchFET® 功率 MOSFET
低热阻封装
结温最高 175°C
低 RDS(ON) 将传导损耗降至最低
兼容逻辑电平栅极驱动
通过了 100% Rg 和 UIS 测试
SUM70101EL 100 V P 沟道 MOSFET应用
电池保护
电机驱动控制
负载开关
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SUM70101EL-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 | 在线订购 |
应用案例
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Vishay近日宣布推出一款全新的可见光敏感度增强型高速硅PIN光电二极管，以扩充其光电二极管产品组合。这款光电二极管型号为VEMD2704，采用了小型2.0mm x 1.8mm x 0.6mm顶视表面贴装封装，具有卓越的感光性能和快速的开关时间。
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Vishay威世科技日前宣布，其光电子产品部推出了一款全集成超小型接近传感器——VCNL36828P。这款传感器专为提高消费类电子应用的效率和性能而设计。
资讯Vishay推出新款全集成超小型接近传感器，待机电流低至5 μA2024-01-26
器件采用垂直腔面发射激光器和智能双 I2C 从机地址，适用于真无线立体声（ TWS ） 耳机、虚拟现实 / 增强现实（ VR / AR ） 头盔等各种电池供电消费类电子应用 美国 宾夕法尼亚 MALVER N 、中国 上海 — 2024 年 1 月 25 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其光电子产品部推出全集成新型接近传感器---VCNL36828P，提高消费类电子应用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面发射激光器（VCSEL），在2.0 mm x 1.0 mm x
资讯Vishay推出升级版红外接收器模块2024-01-19
日前，Vishay 推出适合遥控、接近探测和光幕应用的升级版 TSOP18xx、TSOP58xx 和 TSSP5xx 系列红外 ( IR ) 接收器模块。增强型解决方案采用 Minicast 封装，可提供即插即用的方式替换现有系列器件，供电电流降低 50 %，抗 ESD 能力达到 12 kV，供电电压为 2.0 V 至 5.5 V ，黑暗环境灵敏度提高 20 %，并提高 DC 强光直射性能。
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