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AON6280 MOSFET 80 V N 沟道器件
Alpha & Omega 推出具有最高效的高频开关性能的 AON62809（AON6280 MOSFET 80 V N-Channel）
发布时间：2018-06-14
Alpha & Omega Semiconductor 的 AON6280 采用经过独特优化的沟槽式 MOSFET 技术来实现最高效的高频开关性能。 由于 RDS(ON)、Ciss 和 Coss 极低，因此传导和开关损耗可降至最小。 该器件非常适用于消费电子、电信、工业电源和 LED 背光应用中的升压转换器和同步整流器。
应用案例
资讯鸿蒙开发教程2024-01-31
去年8 月份华为发布会上，华为发布了HarmonyOS NEXT预览版，宣布不再兼容安卓应用。大家期待的纯血鸿蒙终于要来临了，next 预览版本现在已经开放申请渠道了，Next 开发者预览版本目前只向三款手机开放， mate 60、mate60 pro 和 mate x5。 什么是鸿蒙，他是 android 套壳吗？ 鸿蒙是华为自研的操作系统，发布之初发现它上面也能兼容安卓应用，大家纷纷猜想鸿蒙系统可能又是厂商自己经过改造 android 套个壳发布是自研系统，尤其是他刚开始出那个鸿蒙开发的时候
资讯AOS推出新款100V MOSFET AONA669162024-01-26
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能，使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
资讯AOS推出创新型双面散热 DFN 5x6 封装2024-01-25
AONA66916采用全新顶部开窗式DFN5x6封装，可实现业界领先的散热性能，提供可靠性更高的设计 日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL) Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS)（纳斯达克代码：AOSL）发布了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ，该器件采用AOS创新型双面散热DFN 5 x 6 封装。客户系统研发人员一直以来把 AOS 产品作为其方案设计的重要组件之一，帮助客户实现各种高性能应用
资讯基于Android13的AOSP源码下载及编译指南2024-01-17
AOSP（Android Open Source Project）是Android操作系统的开源项目，通过下载和编译AOSP源码，您可以获得原始的Android系统，并进行定制和开发。本教程将向您介绍如何下载AOSP源码并进行编译的步骤。
资讯AOS | 超低反向工作电压 TVS二极管2023-11-13
日前，AOS推出了具有超低反向工作电压 (VRWM) 的低功耗瞬态电压抑制器 (TVS)，AOZ8S207BLS-01，旨在提供超低的寄生电容和快速的响应时间。 日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体器件及芯片供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited （简称AOS, 股票代码：AOSL) 推出了具有超低反向工作电压 (VRWM) 的低功耗瞬态电压抑制器 (TVS)， AOZ8S207BLS-01 ，旨在提供超低的寄生电容和快速的响应时间。基于 AOS 先进的超低击穿电压 (VBR) TVS 平台和创新型封装，这
资讯AOS | 针对 Type-C端口的ESD解决方案2023-11-10
日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL) 推出了一系列单通道瞬态电压抑制器 (TVS)——AOZ8S303BLS-24 和AOZ8S305BLS-24。该系列产品采用同类最佳的低电容TVS平台进行高速信号线保护。非常适用于手机、笔记本电脑、电视和其他电子设备中Type-C连接器的静电放电 (ESD) 防护。
资讯AOS | 发布适用于 Type-C接口PD应用的智能二极管保护开关2023-11-10
日前，集设计、研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体、芯片及数字电源产品供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited推出一款采用理想二极管运作进行反向电流保护的新型Type-C PD 高压电源输入保护开关。AOZ13984DI-02 和 AOZ13987DI-02 是采用单个紧凑的耐热增强型 3mm x 3mm DFN 封装的智能保护开关。新产品采用 AOS 先进的共集成封装技术，将高性能保护 IC 和新一代SOA Trench MOSFET 相结合。新器件提供低 RDS(ON) (20mohm) 背靠背 MOSFET，可在故障条件下启动反向电流阻断功能，并且具有高达 28V 的电压耐压。
资讯AOS | 推出首款适用于服务器应用的 eFuse 方案2023-11-10
“服务器和存储等高可靠性系统需要总线保护设计。传统设计使用热插拔控制器和外部分立 FET，然而越来越多的人并不选择这种解决方案，取而代之的是由 eFuse 提供的更紧凑的解决方案。AOS 将 TrenchFET 技术与领先的 IC 设计相结合，可实现紧凑、强壮的 eFuse 方案”。
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