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MDmesh™V功率MOSFET
意法半导体的MDmesh™V（MDmesh™ V Power MOSFETs）使以前的最低RDS（上）记录黯然失色
发布时间：2018-06-14
意法半导体的 MDmesh™V功率MOSFET产品系列提供-500 V至1500 V的各种击穿电压，低栅极电荷和低导通电阻，并结合最先进的封装。意法半导体针对高压和低压MOSFET的工艺技术提高了功率处理能力，从而实现了高效解决方案。
MDmesh™V功率MOSFET特性
-500 V至1500 V击穿电压范围
适用于650 V功率MOSFET的世界上最佳RDS （on）区域（TO-247封装中为0.029Ω）
改善栅极电荷和降低功耗，以满足当今具有挑战性的效率要求
适用于部分产品系列的固有快速体二极管选项
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STY145N65M5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V 138A MAX247 | ￥147.53880 | 在线订购 |
;;2_tmb.jpg) | | STD18N65M5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V 15A DPAK | ￥12.84780 | 在线订购 |
 | | STL57N65M5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT | ￥122.55840 | 在线订购 |
 | | STW88N65M5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V 84A TO-247 | ￥124.07040 | 在线订购 |
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