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FGA20S140P单IGBT
安森美半导体的IGBT（FGA20S140P Single IGBT）采用内部反并联二极管进行优化
发布时间：2018-06-14
安森美半导体 FGA20S140P的工作电压范围为1,100 V至1,400 V，采用内部反并联二极管进行优化，适用于软开关应用。凭借典型的非穿通（NPT）IGBT技术的进步，安森美半导体的短路阳极硅技术提供的饱和电压比相同的NPT沟槽IGBT低12％以上。此外，与竞争对手的IGBT产品相比，该产品系列的尾电流速率更低，超过20％。这些丰富的功能使安森美半导体先进的IGBT能够提供更好的热性能，更高的效率和更低的功率损耗。
FGA20S140P单IGBT特性
高速切换
低饱和电压：V CE（sat） = 1.9 V，IC = 20 A.
高输入阻抗
符合RoHS标准
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FGA20S140P | MOSFETs-晶体管 | IGBT Trench Field Stop 1400V 40A 272W Through Hole TO-3PN | 在线订购 |
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