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精密N沟道EPAD®MOSFET阵列
Advanced Linear Devices四路，高驱动，零阈值™匹配（Precision N-Channel EPAD® MOSFET Array）
发布时间：2018-06-14
先进的线性器件 ALD210800A / ALD210800精密n沟道MOSFET阵列具有零阈值电压，为正向跨导和输出电导建立了新的行业基准。该阵列采用ALD经过验证的EPAD CMOS技术设计，使电路设计人员能够构建前所未有的超低电源电压。
精密N沟道EPAD®MOSFET阵列特性
高跨导和输出电导
低R DS（ON）为25Ω
输出电流> 50 mA
匹配和跟踪的温度系数
严格的批次参数控制
正，零和负V GS（th）温度系数
低输入电容和漏电流
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | ALD210800SCL | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | 在线订购 | |
 | | ALD210800APCL | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | 在线订购 | |
| | ALD210800ASCL | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | 在线订购 |
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