资讯拥抱 融合 共发展—Vishay与力源信息销售峰会圆满落幕2023-06-21

2023年6月16日，Vishay与力源信息销售峰会在成都棕榈泉费尔蒙酒店圆满落幕。VishaySalesVP卢志强先生、VishayMDVP潘文生先生及销售总监林清海先生、力源信息董事长兼总经理赵马克先生和力源信息副总经理兼销售及市场总监陈福鸿先生参加了此次会议。两家公司的中高层营销管理人员进行了深入的产品信息分享和未来发展预期。Vishay销售总监林清海

资讯Vishay VOMDA1271汽车级光电压输出光耦，用于MOSFET开关，集成关断电路，提升应用性能2023-06-09

Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay  推出一款业内先进的新型汽车级光电压输出光耦，用于 MOSFET 开关 ，该驱动器采用节省空间的 SOP-4 封装，集成关断电路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271  专门用来提高汽车应用性能，同时提高设计灵活性并降低成本，开关速度和开路输出电压均达到业内先进水平。 日前发布的光耦集成关断电路，典型关断时间为 0.7ms，在 SOP-4 小型封装 MOSFET 驱动器中达到先进水平。此

资讯Vishay推出厚膜功率电阻器，可选配NTC热敏电阻和PC-TIM简化设计，节省电路板空间并降低成本2023-06-06

器件通过 AEC-Q200 认证，采用 SOT-227 小型封装，可直接安装在散热器上，具有高脉冲处理能力，功率耗散达 120 W   美国 宾夕法尼亚 MALVER N 、中国 上海 — 2023 年 5 月 31 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款通过AEC-Q200认证，采用SOT-227小型封装，可直接安装在散热器上的全新厚膜功率电阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脉冲处理能力，在85 °C底壳温度下，功率耗散达120 W，可选配NTC热敏电阻用于内部温度监控，预涂相变热界面材

资讯开关电源设计优质选择 Vishay威世科技第三代650V SiC二极管2023-05-25

Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay  推出17款新型第三代 650V 碳化硅 （SiC）肖特基二极管 。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代 SiC 二极管包括 4A 至 40A 器件，采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封装和 D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封