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ESDA8V2-1MX2单向二极管
STMicroelectronics针对充电器和电池端口的EOS和ESD Transil™保护（ESDA8V2-1MX2 Unidirectional Diode）
发布时间：2018-06-14
意法半导体ESDA8V2-1MX2是一款单向，单线Transil二极管，专为保护便携式设备和受EOS和ESD瞬态过电压影响的小型电子设备中的集成电路而设计。便携式设备的设计者必须改进内部保护，以防止质量未知的充电器带来的风险。意法半导体的ESDA8V2-1MX2吸收主电源浪涌，峰值脉冲能量高达500瓦，比目前最流行的浪涌保护器高出30％的保护水平。与此同时，ESDA8V2-1MX2的占地面积减小了55％，尺寸仅为1.0 mm x 1.45 mm，从而节省了设计人员实现额外功能或进一步缩小最终产品尺寸的空间。与0.7 mm或1相比，该保护装置还具有0.55 mm的更薄外形。
ESDA8V2-1MX2单向二极管特性
击穿电压V BR = 8.2 V.
单向设备
高峰值功耗：500 W（波形为8 /20μs）
ESD保护等级优于IEC 61000-4-2，等级4：30 kV接触放电
低漏电流（5 V时<0.5μA）
PCB面积非常小（1.45 mm 2）
符合RoHS标准
ESDA8V2-1MX2单向二极管应用
电脑
打印机
通讯系统
手机
个人媒体播放器和导航设备
视频设备
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | ESDA8V2-1MX2 | ESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件 | TVS DIODE 5VWM 18.5VC 2QFN | ￥1.19428 | 在线订购 |
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