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PBSM5240PF中功率晶体管
Nexperia通过便携式设备的超紧凑电源管理解决方案（PBSM5240PF Medium Power Transistor）实现小型化
发布时间：2018-06-14
Nexperia推出PBSM5240PF，这是一款超紧凑型中功率晶体管和N沟道沟槽MOSFET，采用无引线DFN2020-6（SOT1118）塑料封装。DFN2020-6（SOT1118）尺寸仅为2 x 2 mm，高度仅为0.65 mm，旨在满足移动设备等高性能消费产品小型化的行业趋势。
作为市场上首批将低VCE（sat）BISS晶体管和Trench MOSFET集成到二合一产品中的电源管理解决方案之一，PBSM5240PF可节省PCB空间，同时提供高电气性能。
与需要两个封装用于小信号突破（BISS）/ MOSFET解决方案的传统解决方案相比，PBSM5240PF的封装尺寸减少了50％以上，封装高度降低了10％以上。此外，由于DFN2020-6（SOT1118）封装采用散热器，因此该器件的热性能提高了25％，从而可实现高达2 A的更高电流和更低的功耗。
PBSM5240PF中功率晶体管特性
极低的集电极 - 发射极饱和电压V CE（sat）
采用2 x 2 mm的DFN2020-6封装需要较少的印刷电路板（PCB）面积
由于产生的热量较少，因此能效高
高集电极电流能力I C和I CM
高I C时的高集电极电流增益（h FE）
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PBSM5240PF,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel, PNP VDS=30V VGS=±8V ID=660mA RDS(ON)=580mΩ@4.5V SOT1118 | 在线订购 |
应用案例
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