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    SST12LP17E / 18E射频功率放大器

    SST12LP17E / 18E射频功率放大器

    Microchip基于高可靠性InGaP / GaAs HBT技术的2.4 GHz高效RF功率放大器(SST12LP17E / 18E RF Power Amplifiers)

    发布时间:2018-06-14

    Microchip的 SST12LP17E是一款2.4 GHz全集成,高效率功率放大器模块,基于高可靠性InGaP / GaAs HBT技术,设计符合IEEE 802.11b / g / n应用。它通常提供29 dB增益,28%的功率附加效率。SST12LP17E具有出色的线性度,同时满足21.5 dBm的802.11g频谱模板。它还具有简单的板级使用,以及通过单个组合参考电压引脚实现的高速上电/掉电控制。

    SST12LP18E是一款基于高可靠性InGaP / GaAs HBT技术的通用功率放大器。SST12LP18E是一款2.4 GHz高效功率放大器,符合IEEE 802.11b / g / n应用。它通常提供25 dB增益,32%的功率附加效率。SST12LP18E具有出色的线性度,同时满足21.5 dBm的802.11g频谱模板。SST12LP18E非常适合嵌入式应用,因为即使在低电池电压下也能提供线性功率。SST12LP18E的参考电压低至2.7 V,工作温度范围为-20°C至+ 85°C。


    SST12LP17E / 18E射频功率放大器特性

    SST12LP17E功能

    • 输入/输出端口内部匹配50Ω,直流去耦

    • 高增益:2.4 GHz至2.5 GHz的增益通常为29 dB

    • 高线性输出功率(3.3 V)

    • 802.11b / g / n应用的高功率附加效率/低工作电流

    • 低关断电流(2μA)

    • 在低至2.7 V偏置电压的低温下提供出色的性能

    • 温度变化有限

    • 温度和负载不敏感的片上功率检测器

      SST12LP18E功能

    • 高增益:2.4 GHz至2.5 GHz的增益通常为25 dB

    • 高线性输出功率(3.3 V)

    • 802.11b / g / n应用的高功率附加效率/低工作电流

    • 低关断电流(2μA)

    • 低压工作低至2.7 V偏压

    • 有限的变化超温

    • 温度和负载不敏感的片上功率检测器,动态范围> 15 dB

    SST12LP17E / 18E射频功率放大器应用

    1. WLAN(IEEE 802.11b / g / n)

    2. 家庭射频

    3. 无绳电话

    4. 2.4 GHz ISM无线设备

    SST12LP17E-18E RF Power Amplifiers
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    SST12LP17E-QU8ERF放大器-射频器件IC RF PWR AMP 802.11B/G/N 8UDFN¥7.41089在线订购
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