主页所有制造商MaximMAX5982A/B/C 高功率 MOSFET

    MAX5982A/B/C 高功率 MOSFET

    MAX5982A/B/C 高功率 MOSFET

    Maxim 推出带集成 70 W 高功率 MOSFET、符合 IEEE 802.3af/at 标准的 MAX5982A/B/C 用电设备接口控制器(MAX5982A/B/C High-Power MOSFET)

    发布时间:2018-06-14

    Maxim 的 MAX5982A/MAX5982B/MAX5982C 为用电设备 (PD) 提供完整的接口,以符合以太网供电 (PoE) 系统的 IEEE®802.3af/at 标准。 MAX5982A/MAX5982B/MAX5982C 还为 PD 提供检测签名、分类签名,以及带浪涌电流控制的集成式隔离电源开关。 发生浪涌期间,MAX5982A/MAX5982B/MAX5982C 会在隔离功率 MOSFET 得到全面增强时,且在切换到更高电流限值前(1700 mA 至 2100 mA)前,将电流限制在 182 mA 以内。 这些器件的输入 UVLO 具有宽迟滞和较长抗尖峰脉冲时间,以补偿双绞线电缆的电阻衰减,并保证在上电/断电条件下实现无毛刺过渡。 MAX5982A/MAX5982B/MAX5982C 的输入端可承受高达 100 V 电压。
    MAX5982A/MAX5982B/MAX5982C 支持 IEEE 802.3 at 标准中指定的两事件分类方法,并在受到 2 型供电设备 (PSE) 探测时提供信号指示。 这些器件可检测是否存在壁式适配器电源连接,并允许从 PoE 电源平滑切换到壁式电源适配器。
    MAX5982A/MAX5982B/MAX5982C 还提供电源良好 (PG) 信号、双步电流限制和折返、过温保护及 di/dt 限制。 MAX5982A/MAX5982B 的休眠模式具有低功耗特性,同时支持维持功率特征 (MPS)。 MAX5982A/MAX5982B 的超低功耗休眠模式进一步降低了功耗,并仍支持 MPS。 MAX5982A/MAX5982B 还配备了可在休眠模式下自动激活的 LED 驱动器。
    MAX5982A/MAX5982B/MAX5982C 采用 16 引脚、5 mm x 5 mm、TQFN 封装。 这些器件具有 -40°C 至 +85°C 的额定扩展温度范围。

    MAX5982A/B/C 高功率 MOSFET特性

    • 休眠模式和超低功耗休眠模式 (MAX5982A/MAX5982B)

    • 符合 IEEE 802.3af/at 标准

    • 两事件分类或外部壁式适配器指示灯输出

    • 简化的壁式适配器接口

    • PoE 0~5 级

    • 100 V 输入最大绝对额定值

    • 浪涌电流限制:182 mA(最大值)

    • 正常工作期间的电流限制:1700 mA 至 2100 mA

    • 限流和折返

    • 传统 UVLO 功能(36 V 时)

    • 带可编程 LED 电流的 LED 驱动器 (MAX5982A/MAX5982B)

    • 超温保护

    • 热增强 5 mm x 5 mm、16 引脚 TQFN

    MAX5982A/B/C 高功率 MOSFET应用

    1. IEEE 802.3af/at 用电设备

    2. IP 电话

    3. 无线接入节点

    4. IP 安防摄像机

    5. WiMAX™ 基站

    MAX5982A/B/C High-Power MOSFET
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    MAX5982AETE+以太网供电(PoE)-电源管理IC CTRLR PD IEEE 802.3AF 16TQFN¥108.56000在线订购
    MAX5982AETE+T以太网供电(PoE)-电源管理IC CTRLR PD IEEE 802.3AF 16TQFN¥47.89797在线订购
    MAX5982CETE+T以太网供电(PoE)-电源管理IC CTRLR PD IEEE 802.3AF 16TQFN¥45.59975在线订购
    MAX5982BETE+以太网供电(PoE)-电源管理IC CTRLR PD IEEE 802.3AF 16TQFN在线订购

    应用案例

    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照