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N 沟道 SuperFET® II MOSFET
Fairchild 的 600 V、20.2 A、199 mΩ、高电压、超级结 MOSFET（N-Channel SuperFET® II MOSFET）
发布时间：2018-06-14
SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild Semiconductor® 的第一代采用电荷平衡技术的高电压超级结 (SJ) MOSFET 系列，可实现出色低导通电阻和更低的栅极电荷。这种先进的技术经过针对性调整，最大限度地减少了导通损耗，具有出色的开关性能并承受极高的 dV/dt 速率、更高的雪崩能量。SuperFET II MOSFET 非常适合于各种采用开关模式工作的 AC/DC 电源转换，实现系统微型化和更高的能效。
应用案例
资讯飞兆半导体推出600V N-通道 SuperFET II MOSFET2012-12-17
高端AC-DC开关电源 （SMPS） 应用如伺服器、电信、计算及工业电源应用需要高功率密度；为了取得成功，设计者需要具有成本效益的解决方案，从而佔用更小的电路板空间并提高可靠性。
资讯提供更高效率 快捷半导体导入高压SuperFET II MOSFET2013-01-10
快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）透过导入600V N-通道SuperFET II MOSFET系列，以使用更小的电路板空间并提高可靠性
资讯Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻2013-12-02
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
资讯Vishay扩充其TrenchFETGen III P沟道功率MOSFET2013-07-15
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
资讯Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET2013-12-05
... MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si8851EDB是为在移动计算设备中提高效率和节省空间而设计的，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下分别具有8.0mΩ和11.0mΩ的极低导通电阻。
资讯Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻2012-10-09
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，
资讯P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用2018-03-09
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的...
资讯N沟道MOSFET延长便携设备电池寿命2010-03-13
N沟道MOSFET延长便携设备电池寿命 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便
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