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第三代 12 V、20 V 和 30 V P 沟道 MOSFET
采用 PowerPAK® SC-70 封装的 Vishay Siliconix 超紧凑型 TrenchFET® MOSFET（-12 V, -20 V, and -30 V Gen III P-Channel MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
Vishay 推出采用超紧凑 PowerPAK® SC-70 封装的第三代 TrenchFET® P- 沟道功率 MOSFET，进一步扩大了该产品阵容。Vishay Siliconix 的 MOSFET 专为节省空间和提升能效而设计，采用 2 x 2 mm 的基底面，使用 -4.5 V 和 -10 V 栅极驱动电压，在 12 V、20 V 和 30 V（12 V VGS 和 20 V VGS）器件中导通电阻业界最低。
对于电源管理中的负载和电池开关和同步降压转换器应用中的控制开关，-12 V SiA467EDJ 能提供低至 13 毫欧 (-4.5 V) 的极低导通电阻。20 V SiA437DJ 的导通电阻低至 14.5 毫欧姆 (4.5 V)，30 V SiA449DJ 和 SiA483DJ 的导通电阻也很低，分别为 20 毫欧姆 (10 V) 和 21 毫欧姆 (10 V)。此外，SiA437DJ 和 SiA467EDJ 具有 30 A 大额定电流，可用于存在高浪涌电流的负载开关应用。
第三代 12 V、20 V 和 30 V P 沟道 MOSFET特性
TrenchFET® 功率 MOSFET
热增强型 PowerPAK® SC-75 封装
小基底面
低导通电阻
经过 100% Rg 和 UIS 测试
第三代 12 V、20 V 和 30 V P 沟道 MOSFET应用
智能电话
平板电脑
移动计算设备
硬盘驱动器
固态硬盘
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIA483DJ-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | ￥1.57529 | 在线订购 |
 | | SIA449DJ-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | ￥3.24000 | 在线订购 |
| | SIA467EDJ-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6 | 在线订购 | |
| | SIA437DJ-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6 | ￥2.15076 | 在线订购 |
应用案例
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