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    采用超小封装的低 RDS(on) MOSFET

    采用超小封装的低 RDS(on) MOSFET

    NXP 种类丰富的采用较小 DFN2020 和 DFN1006 封装的高性能、低 RDS(on) MOSFET(Low RDS(on) MOSFETs in Ultra Small Packages)

    发布时间:2018-06-14

    了解 NXP 种类丰富的采用较小 DFN2020 和 DFN1006 封装的高性能、低 RDS(on) MOSFET。 这些产品可满足更高能效、更高功率密度和更低功耗的趋势。
    适用便携设备的 SOT23 - DFN1006

    • 比 SOT23 小 7 分之 1,但具有相同的功率耗散(350 mW)

    • 2 个版本:基底面均为 1 x 0.6 mm,但高度分别为 0.37 mm (DFN1006B-3) 和 0.5 mm (DFN1006-3)

    • 有广泛供应商基数支撑的多方外包:

    • 5 家以上供应商提供基底面兼容封装

    • 大的 MOSFET 产品组合范围和市面上提供的双极晶体管

    • 支持 100 mA 至 1 A 宽电流范围

    • 这些 MOSFET 是便携式设备电源管理单元中负载开关的极佳选择

    2 X 2 x 0.65 mm DFN2020 单、双通道 MOSFET 具有最先进的功率密度:

    • 仅占用 4 mm2 的安装面积,但具有与标准 SO-8 类似的热阻

    • 针对开关性能和低 RDS(on) 而优化,该系列产品是便携式应用中电池/充电器开关和 DC/DC 转换器的理想之选

    • 单 DFN2020 封装采用表面镀锡侧焊盘(“可湿性侧翼”),轻松实现焊接检测


    采用超小封装的低 RDS(on) MOSFET特性

    • 12-60 V P 沟道和 N 沟道类型

    • 高达 3 kV HBM 的 ESD 保护产品类型

    • 具有 AEC-Q101 认可的汽车类型

    • 带有表面镀锡侧焊盘的产品类型

    • 2.5 V 时小于 0.65 毫欧的较低 RDS(on) 值(仅限 DFN1006 类型)

    • RDS(on) 范围低至 10 毫欧和 ID 最高达 13 A(仅限 DFN2020 类型)

    采用超小封装的低 RDS(on) MOSFET应用

    1. 小型、超薄和电池驱动型电子设备中的功率转换和开关功能

    2. 汽车、消费电子和工业领域的其它空间受限型应用

    Low RDS on MOSFETs in DFN1006 packages
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    2N7002BKMB,315MOSFETs-晶体管MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=450mA RDS(ON)=1.6Ω@10V DFN1006B-3在线订购
    PMZB290UN,315MOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=1A VDS=20V DFN1006B-3在线订购
    PMZB350UPE,315MOSFETs-晶体管MOSFETs 30V 350mW SMT SOT883B 1A P-Channel¥0.52207在线订购
    NX3008NBKMB,315MOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=0.53A VDS=30V DFN1006B-3¥0.39464在线订购
    NX3008PBKMB,315MOSFETs-晶体管MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±8V ID=300mA RDS(ON)=4.1Ω@4.5V在线订购
    Low RDS on MOSFETs in DFN2020 packages
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    PMDPB58UPE,115MOSFETs-晶体管MOS管 Dual P-channel Id=4.5A VDS=20V DFN2020-6¥2.00254在线订购
    PMPB15XP,115MOSFETs-晶体管表面贴装型 P 通道 12 V 8.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) DFN2020MD-6¥2.89440在线订购
    PMC85XP,115MOSFETs-晶体管MOS管 P-channel Id=3.4A VDS=30V DFN2020-6在线订购
    PMPB11EN,115MOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=13A VDS=30V SOT1220¥1.64050在线订购
    PMPB33XP,115MOSFETs-晶体管MOSFETs 20V 1.7W SMT SOT1220 7.9A P-Channel在线订购
    PMPB20EN,115MOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=10.4A VDS=30V DFN2020MD-6在线订购
    PMPB48EP,115MOSFETs-晶体管MOS管 P-channel Id=6.8A VDS=30V DFN2020MD-6在线订购
    PMPB15XN,115MOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=10.4A VDS=20V DFN2020MD-6在线订购
    PMDPB70XP,115MOSFETs-晶体管MOS管 Dual P-channel Id=3.8A VDS=30V DFN2020-6¥1.85048在线订购
    PMDPB85UPE,115MOSFETs-晶体管MOS管 Dual P-channel Id=3.7A VDS=20V DFN2020-6在线订购

    应用案例

    • 资讯48V系统中更智能的BMS设计方案教您降本增效2024-03-27

      48V电池系统,常见于两轮电动车和轻度混合动力电动车(MHEV),配备了48V的储能单元,用于捕获再生能量并为车辆的48V电子系统提供动力。这一系统的核心是电池管理系统(BMS),它负责监控、保护,并提升电池性能。为了确保电池的最佳使用效率,进行精确的电池平衡和优化是必不可少的。 安世半导体提供的车用级芯片,包括专用分立器件、MOSFET器件和逻辑器件,均满足AEC-Q100/Q101汽车电子元件可靠性标准。这些产品专为互联汽车设计,以确保它们在各种工

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    • 资讯Nexperia推出新一代低压模拟开关2024-03-06

      全球基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)宣布推出全新的专用于监测和保护 1.8 V 电子系统的 4 通道和 8 通道模拟开关系列产品。该系列多路复用器包含适用于汽车应用的 AEC-Q100 认证型号,以及适用于更广泛的消费类和工业应用的标准版本,例如用于传感器监测与诊断、企业计算以及家用电器等场景。  在使用模拟开关时,由于控制电路的电压与模拟开关的电源电压不匹配,设计人员通常需要额外采用电平转换器。相比之下,N

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