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-12 V和-20 V P沟道第III代MOSFET
Vishay提供-12 V和-20 V MOSFET（-12 V and -20 V P-Channel Gen III MOSFETs），具有3.0 mm x 1.9 mm的行业低RDS（on）和3.3 mm sq。
发布时间：2018-06-14
Vishay扩展其TrenchFET，采用PowerPAK新设备P沟道第三代功率MOSFET ® ChipFET ®和PowerPAK 1212-8S封装。Vishay Siliconix MOSFET旨在提高移动计算和工业控制设备的功效，具有业界最低的导通电阻，适用于-12 V和-20 V设备，并具有-4.5 V和-2.5 V栅极驱动，体积也缩小到3.0 mm x 1.9 mm和3.3毫米×3.3毫米的占地面积。Si5411EDU，Si5415AEDU和SiSS23DN具有-4.5 V和-2.5 V栅极驱动器的低工业导通电阻，使设计人员能够在电路中实现更低的电压降，从而提高电源使用效率和延长电池运行时间。在节省PCB空间的应用是关键的，- 12 V SI54 11EDU和- 20 V SI54 15AEDU提供低通电阻下降到8.2米Ω（- 4.5 V）和11.7米Ω（- 2.5 V）在3毫米1.9 mm PowerPAK ChipFET封装。对于要求非常低的导通电阻的应用，SISS23 DN提供了4.5毫米Ω（- 4.5 V）和6.3 MΩ（-2.5 V）的值，在3.3毫米由3.3毫米功率PayPK 1212至8S封装，具有低0.75毫米的轮廓。
-12 V和-20 V P沟道第III代MOSFET特性
紧凑的3.0 mm x 1.9 mm PowerPAK ChipFET和3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装可节省PCB空间
特征-12 V和-20 V额定电压
工业级低导通电阻低至4.5mΩ（-4.5 V）和6.3mΩ（-2.5 V）
促进更有效的电力使用和更长的电池运行时间
5,000 V的ESD保护（Si5411EDU和Si5415AEDU）
100％Rg和UIS测试
无卤素符合JEDEC JS709A定义，符合RoHS指令2011/65 / EU
-12 V和-20 V P沟道第III代MOSFET应用
智能手机，平板电脑，笔记本电脑，工业传感器和POL模块的电源管理中的负载，电池和监控开关
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SI5411EDU-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET | ￥7.59240 | 在线订购 |
| | SI5415AEDU-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETP-CH20V25ACHIPFET | 在线订购 | |
 | | SISS23DN-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S | ￥5.19480 | 在线订购 |
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Vishay近日宣布推出一款全新的可见光敏感度增强型高速硅PIN光电二极管，以扩充其光电二极管产品组合。这款光电二极管型号为VEMD2704，采用了小型2.0mm x 1.8mm x 0.6mm顶视表面贴装封装，具有卓越的感光性能和快速的开关时间。
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日前，Vishay 推出适合遥控、接近探测和光幕应用的升级版 TSOP18xx、TSOP58xx 和 TSSP5xx 系列红外 ( IR ) 接收器模块。增强型解决方案采用 Minicast 封装，可提供即插即用的方式替换现有系列器件，供电电流降低 50 %，抗 ESD 能力达到 12 kV，供电电压为 2.0 V 至 5.5 V ，黑暗环境灵敏度提高 20 %，并提高 DC 强光直射性能。
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