主页所有制造商IXYS Corporation900 V Polar HiPerFET™ 功率 MOSFET

    900 V Polar HiPerFET™ 功率 MOSFET

    900 V Polar HiPerFET™ 功率 MOSFET

    来自 IXYS 的适合电源转换系统的坚固耐用和高能效型 MOSFET 解决方案(900 V Polar HiPerFET™ Power MOSFETs)

    发布时间:2018-06-14

    IXYS 推出 900V Polar HiPerFET 功率 MOSFET,扩大了其 Polar HiPerFET MOSFET 产品组合阵容。 这些 900V 器件的额定漏电流为 10.5 A 至 56 A,补充了 IXYS 的高电压 Polar HiPerFET MOSFET 产品线(500 V 至 1200 V),并在坚固、高能效、高电压 MOSFET 解决方案方面为终端客户提供了更广的选择范围。 这些 900V 器件将 IXYS  的 Polar 技术平台和 HiPerFET 工艺集于一身,为当今要求苛刻的高达 700 V 的总线工作电压的高压转换系统提供了更高的能效和可靠性。

    900 V Polar HiPerFET™ 功率 MOSFET特性

    • 国际标准封装

    • ISOPLUS 高性能封装选择(2500 V 电气隔离)

    • 快速本征二极管

    • 额定雪崩

    • 低封装电感

    • 出色的坚固性和 dV/dt 能力

    • 高功率密度

    900 V Polar HiPerFET Power MOSFETs
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