LDMOS射频功率晶体管
Ampleon的LDMOS射频功率晶体管(LDMOS RF Power Transistors)专为最恶劣的工程环境而设计
发布时间:2018-06-14
专为最苛刻的工程环境而设计,Ampleon's50 V XR LDMOS RF功率晶体管在真实条件下提供无与伦比的坚固性。它们提供更高的输出功率和简化的设计,同时降低系统成本并消除有害物质的使用。XR产品组合提供21世纪的解决方案,也取代了传统的基于VDMOS的设备。XR系列完全值得拥有“极其坚固”的称号,在最严苛的负载不匹配条件下提供稳定性和无与伦比的坚固性能。这使其成为ISM频段中苛刻(kW),专业,智能RF能量应用(点燃等离子和激光,同步加速器和MRI)的理想选择。它还为地面广播提供了实际功率和效率提升。在FM无线电发射器中提供最高效率的解决方案(由双面ESD二极管实现),XR器件还为IBOC数字无线电,VHF-TV和其他线性应用提供了出色的可校正线性性能和预失真特性。凭借无与伦比的性能,Ampleon的XR系列可帮助您在未来的RF设计方面取得进展。
LDMOS射频功率晶体管特性
极其坚固的高功率输出功率高达1400 W
在严重的不匹配条件下具有出色的稳定性
由于采用全平面匹配结构,结构紧凑,易于制造
由于新的双侧ESD二极管结构具有更大的负电压范围,因此改进了C类操作
降低系统成本
取代VDMOS并消除有害物质
LDMOS射频功率晶体管应用
地面广播系统
调频发射器
IBOC数字广播
VHF电视
ISM应用程序
点燃等离子和激光
同步加速器
核磁共振成像
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| BLF188XRU | MOSFETs-晶体管 | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A | 在线订购 | ||
| BLF188XRSU | MOSFETs-晶体管 | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 40mA 108MHz 24.4dB 1400W SOT539B | ¥1824.88802 | 在线订购 |
应用案例
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