PolarP3™ 功率 MOSFET 系列是 IXYS 基准高性能 Polar 系列功率 MOSFET 产品线的最新成员。 这些全新器件均使用 IXYS 专有的 PolarP3™ 技术平台制造，进而推出了低导通电阻 (Rdson) 和栅极电荷 (Qg) 经过优化组合的各种全新和改进型器件。 因此，这些器件实现了低至 9.6 ΩnC 的品质因数 (FOM) 性能指标（器件导通电阻乘以栅极电荷）。 器件的其它特性包括低热组 (RthJC)、动态 dV/dt 级别、高功率耗散 (Pd)、高雪崩能量功能。 器件的这些出色的电气和热特性是在当今高电压转换系统中实现更高功率效率、高可靠性的必要条件。
极具特色的 PolarP3™ 系列提供 500 V 和 600 V 两个电压等级选择。 500 V PolarP3™ 器件的额定漏电流为 60 A 至 132 A（Tc=25ºC 时的 Id）；600 V PolarP3™ 器件的额定漏电流为 22 A 至 110 A（Tc=25ºC 时的 Id）。这些器件具有低导通电阻（仅 39 mΩ），并同时保持了低栅极电荷（低至 38 nC）。 低导通损耗加上低开关损耗，显著减少了器件总体功耗。 相比前几代 Polar 系列产品 (PolarP2 HiPerFET™)，这些新型 PolarP3 HiPerFET 的导通电阻 (Rdson) 减少 12%、栅极电荷 (Qg) 减小 14%、最大功率耗散 (Pd) 提升达 20%。 由于芯片厚度减小提升了总功率密度，因此热阻更小。