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    GigaMOS™ 功率 MOSFET

    GigaMOS™ 功率 MOSFET

    IXYS Corporation 的 GigaMOS 功率 MOSFET (GigaMOS™ Power MOSFETs)适用于高功率开关应用

    发布时间:2018-06-14

    IXYS Corporation 的 170 V 至 300 V GigaMOS 功率 MOSFET 系列的电流能力高达 260 A。 这款功率 MOSFET 采用紧凑外壳封装,能让设计人员在较小的基底面内控制更大的功率。 此外,还能让设计人员在大功率开关应用中减少或消除多个较低电流级 MOSFET 器件并联。 这样,就能减少零件以及所需的驱动元件数量,从而提升系统总体可靠性,降低系统总成本。 这些功率 MOSFET 针对广泛的高功率应用中的出色开关性能进行了优化。

    GigaMOS™ 功率 MOSFET特性

    • 高电流能力(可达 260 A)

    • 低 Rds(on) 和栅极电荷 (Qg)

    • 采用 IXYS HiPerFET™ 技术,实现了快速功率切换性能

    • 雪崩能力

    • 无需多个较低电流 MOSFET 器件并联

    • 提高了系统整体可靠性,降低了成本

    • 能在较小的基底面内开关更高的功率

    GigaMOS™ 功率 MOSFET应用

    1. 高速功率开关应用

    2. DC 至 DC 转换器

    3. 充电器

    4. 开关模式和谐振模式电源

    5. DC 斩波器

    6. AC 电机驱动器

    7. 不间断电源

    GigaMOS Power MOSFETs
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