资讯Vishay 汽车级光电压输出光耦，用于 MOSFET 开关，集成关断电路，提升应用性能2023-06-09

Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay  推出一款业内先进的新型汽车级光电压输出光耦，用于 MOSFET 开关 ，该驱动器采用节省空间的 SOP-4 封装，集成关断电路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271  专门用来提高汽车应用性能，同时提高设计灵活性并降低成本，开关速度和开路输出电压均达到业内先进水平。 日前发布的光耦集成关断电路，典型关断时间为 0.7ms，在 SOP-4 小型封装 MOSFET 驱动器中达到先进水平。此

资讯Vishay 汽车级光伏 MOSFET，集成关断电路，提升应用性能2023-06-08

Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay  推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器，该驱动器采用节省空间的 SOP-4 封装，集成关断电路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271  专门用来提高汽车应用性能，同时提高设计灵活性并降低成本，开关速度和开路输出电压均达到业内先进水平。 日前发布的光耦集成关断电路，典型关断时间为 0.7ms，在 SOP-4 小型封装 MOSFET 驱动器中达到先进水平。此外，VOMDA127 的导

资讯Vishay 全新厚膜功率电阻来了！设计更简化，降本省空间2023-06-03

Vishay  MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay  推出一款通过 AEC-Q200 认证，采用 SOT-227 小型封装，可直接安装在散热器上的全新厚膜功率电阻。  Vishay MCB  ISOA  具有高脉冲处理能力，在 85˚C底壳温度下，功率耗散达 120 W，可选配 NTC 热敏电阻用于内部温度监控，预涂相变热界面材料（PC-TIM）提高贴装效率。 日前发布的器件采用铝衬底取代金属片，可用作预充电、放电、主动放

资讯开关电源设计优质选择！高能效，更可靠，第三代650V SiC二极管2023-05-25

Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay  推出17款新型第三代 650V 碳化硅 （SiC）肖特基二极管 。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代 SiC 二极管包括 4A 至 40A 器件，采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封装和 D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封