购物车
上传BOM
扩展温度系列中压 MOSFET
ON Semiconductor 全新系列中压 MOSFET （Extended Temperature Family of Mid-voltage MOSFETs）提供了高达 175°C Tj 的扩展温度、宽电压范围以及最佳的 RDS(ON)，为您的设计带来了更大的灵活性和更高的可靠性
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 的 N 沟道 MOSFET 采用 ON Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺制造，并经过专门定制，以便在保持出色开关性能的同时最大限度地减小导通电阻。 这种先进的 PowerTrench®工艺还在精选零件上采用了屏蔽栅技术。
扩展温度系列中压 MOSFET特性
扩展 TJ 额定值达 175°C
实现超低 RDS(ON) 的高性能技术
先进的封装和硅组合，具有低 RDS(ON)
MSL1 坚固型封装设计
100% 通过 UIL 测试
端子无铅且符合 RoHS 规范
当符合 IPC9592 时提供了 25°C 的 Tj 工作温度增加，在允许的 MOSFET 功率耗散下实现了高至 85% 的改进
增强了 MTBF
扩展温度系列中压 MOSFET应用
桥拓扑结构
工业高环境温度和恶劣环境应用的理想选择
同步整流器
DC-DC 转换
初级侧 DC-DC MOSFET
次级侧同步整流器
负载开关
OringFET/负载开关
初级侧 MOSFET
电机控制开关
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDBL0120N40 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8 | 在线订购 | |
| | FDBL0090N40 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8 | ￥44.04697 | 在线订购 |
| | FDBL0065N40 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 300A H-PSOF8 | ￥24.61140 | 在线订购 |
 | | FDBL0630N150 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 150V 169A H-PSOF8 | ￥52.26428 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDMC86340ET80 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 80V 48A POWER33 | ￥14.90208 | 在线订购 |
 | | FDMC86260ET150 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 150V 5.4A POWER33 | ￥9.07227 | 在线订购 |
| | FDMC86160ET100 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 9A POWER33 | ￥10.22836 | 在线订购 |
| | FDMC86570LET60 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V 56A POWER33 | ￥26.11204 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDMS86550ET60 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V POWER56 | ￥64.06238 | 在线订购 |
 | | FDMS86150ET100 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 16A POWER56 | 在线订购 | |
| | FDMS86255ET150 | MOSFETs-晶体管 | N-Channel 150V 10A (Ta), 63A (Tc) 3.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount Power56 | ￥26.21511 | 在线订购 |
 | | FDMS86202ET120 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 120V POWER56 | 在线订购 | |
| | FDMS86350ET80 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 | ￥28.66030 | 在线订购 |
应用案例
资讯安森美FGH60N60SMD原厂IGBT手册2023-02-24
安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数： 型号：FGH60N60SMD 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A 最大功耗（PD）：600W 储存温度范围（TSTG）：−55 to +175℃ G−E泄漏电流（IGES）：±400nA 集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)）：2.5V 输出电容（Coes）：270pF 二极管正向电压（VFM）：2.1V
资讯安森美FGH60N60SMD车规级IGBT2023-02-24
安森美品牌FGH60N60SMD是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了FGH60N60SMD的最 大漏源电流60A，漏源击穿电压600V.
资讯安森美FGH60N60SFD车规级IGBT2023-02-24
编辑： ll ASEMI代理FGH60N60SFD安森美FGH60N60SFD车规级IGBT 型号： FGH60N60SFD 品牌： ON / 安森美 封装： TO-247 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：mΩ 引脚数量：3 特性：IGBT二极管 芯片个数： 沟道类型： 漏电流：ua 特性：IGBT、二极管 工作温度：-55℃~175℃ 备受欢迎的FGH60N6
资讯安森美FGH40N60SMD车规级IGBT参数特征2023-02-24
编辑-Z ON/安森美FGH40N60SMD车规级IGBT参数： 型号：FGH40N60SMD 二极管正向电流（IF）：40A 功耗（Ptot）：349W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 175℃ 集电极到发射极电压（VCES）：600V G−E阈值电压VGE(th)：4.5V 集电极截止电流（ICES）：250uA G−E漏电流（IGES）：±400nA 输入电容（Cies）：
资讯上能电气&安森美联合实验室揭牌，加速生态创新2023-02-24
吴强表示，安森美作为全球领先的半导体公司之一，是上能电气长期以来的重要合作伙伴。本次联合实验室的成立，不仅是双方合作迈向新高度的标志，也是双方注重研发、实现联合技术创新的高效平台，将进一步为上能电气打造更优产品及解决方案提供强力支撑，助推产业绿色升级，为双碳目标贡献更多力量。
资讯上能电气+安森美联合实验室揭牌围绕半导体器件应用展开高水平合作2023-02-24
2月22日，上能电气与安森美半导体（onsemi）联合实验室揭牌成立。安森美亚太区高级副总裁David Chow、中国区销售副总裁Roy Chia，上能电气董事长吴强、副总裁安森美联合实验室建立，旨在依托双方资源优势、深度互补，围绕半导体器件的实际应用展开高水平紧密合作。实验室将针对IGBT单管、SIC二极管、SIC MOS和IGBT模块等半导体器件进行全方位检测和评估，通过各类测试平台及可靠性平台充分验证半导体器件的温升、损耗、电应力、热阻，温度适应性和寿
资讯MOSFET选得好，极性反接保护更可靠2023-02-23
点击蓝字 关注我们 当车辆电池因损坏而需要更换时，新电池极性接反的可能性很高。车辆中的许多电子控制单元 (ECU) 都连接到车辆电池，因而此类事件可能会导致大量 ECU 故障。 ISO（国际标准化组织）等汽车标准定义了电气电子设备的测试方法、电压水平、电磁辐射限值，以确保系统安全可靠地运行。 与极性反接保护 (RPP) 相关的一种标准是 ISO 7637-2:2011，它复制了实际应用中的各种电压场景，系统需要承受此类电压以展示其能够防范故障的稳健性。
资讯详细介绍链表在操作系统中定义和使用的方式2023-02-22
链表和数组是两种不同的数据存储方式。链表是一种物理存储单元上非连续、非顺序的存储结构，数据元素的逻辑顺序是通过链表中的指针链接次序实现的。
工商网监