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    HITFET™ 系列开关

    HITFET™ 系列开关

    Infineon 的智能、全保护型 MOSFET (HITFET™ Family Switches)能够为低压侧应用带来更多保护

    发布时间:2018-06-14

    Infineon 的 HITFET™(高集成温度保护型 FET)系列可提供更高级别的保护,具有过热、短路、过流、过压和 ESD 保护功能。 HITFET™ 在一个易于使用的器件中结合了所有这些保护功能。 这些低压侧开关是通用的功率晶体管,非常适合汽车和工业应用,如内部调光和继电器驱动。 其内置的智能和保护特性相对传统的分立式解决方案,不仅显著地降低了成本和 PCB 面积、缩短了上市时间,而且还提升了的性能和可靠性。 HITFET™ 低压侧电源开关是独特的新一代智能晶体管的代表,几乎可用于无限的汽车和工业应用,在以下所有保护领域均表现出色:

    • 短路、过载

    • 电压浪涌(或开路)

    • 过大温度

    • 静电放电 (ESD)

    此外,HITFET™ 系列还通过反馈回路系统提供故障检测和诊断。       


    HITFET™ Family Switches
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    BTS3410GXUMA1电源开关/负载开关-电源管理IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8¥6.81480在线订购
    BTS3046SDRATMA1电源开关/负载开关-电源管理IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3¥9.42890在线订购
    BTS3408GXUMA2电源开关/负载开关-电源管理BTS3408 - HITFET, AUTOMOTIVE SMA在线订购
    BTS3028SDRATMA1电源开关/负载开关-电源管理IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3¥12.62310在线订购
    BTS3104SDRATMA1电源开关/负载开关-电源管理IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3¥13.38120在线订购
    BTS3104SDLATMA1电源开关/负载开关-电源管理IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3¥3.94450在线订购
    BTS3142DATMA1电源开关/负载开关-电源管理IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3¥11.08659在线订购
    BTS3256DAUMA1电源开关/负载开关-电源管理IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5¥15.13805在线订购
    BTS3205NHUSA1电源开关/负载开关-电源管理IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4在线订购

    应用案例

    • 资讯英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品2023-11-10

      在分立式封装中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A,有四种不同封装类型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。

    • 资讯AURIX™ TC3xx荣膺“金辑奖·中国汽车新供应链百强”2023-11-10

      2023年10月19日,由盖世汽车主办的2023第五届“金辑奖”颁奖典礼在上海隆重举行, 英飞凌AURIX TC3xx单片机,凭借强大的运算能力

    • 资讯现代汽车、起亚与英飞凌签署功率半导体长期供货协议2023-11-09

      【 2023 年 11 月 7 日 ,德国慕尼黑 讯】 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)与现代汽车和起亚签署了碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半导体长期供货协议。英飞凌将建设并保留向现代/起亚供应碳化硅及硅功率模块和芯片的产能直至 2030 年。现代/起亚将出资支持这一产能建设和产能储备。   英飞凌与现代汽车和起亚签署了碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半导体长期供货协议   现代汽车集团执行副总裁兼全球战略办公室(GSO)负责人 Heung Soo

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      德国批准博世、英飞凌、恩智浦对台积电德国ESMC投资 各占10%股份 据外媒报道,日前德国竞争监管机构联邦卡特尔办公室(The German Federal Cartel Office)批准了博世、英飞凌和恩智浦对台积电德国半导体工厂的投资计划,投资金额不超过 34.9993 亿欧元。 台积电将与博世、英飞凌和恩智浦共同成立合资公司ESMC,ESMC总投资预计将超过 100 亿欧元,博世、英飞凌和恩智浦各占 10% 的股权;台积电占70% 的股份,由台积电运营。ESMC地址位于德国德累斯顿,主要面向

    • 资讯碳化硅和igbt器件未来应用前景分析2023-11-08

      功率器件分为泛材类器件与IGBT器件两类,IGBT器件是开关器件,优势在于体积小、寿命长、可靠性高,现在市场上使用程度最大的是第4代器件,全球龙头企业为英飞凌,其现在的IGBT器件为商业化的第七代,主要应用于乘用车、光伏和风电能源领域。

    • 资讯英飞凌和Eatron合作2023-11-07

      来源:Silicon Semiconductor     推进汽车电池管理解决方案。 英飞凌科技与Eatron Technologies达成合作,将先进的机器学习解决方案和算法引入AURIX™ TC4x微控制器(MCU)。此次合作旨在推进汽车电池管理系统(BMS)。凭借具有集成并行处理单元(PPU)的MCU系列最先进的机器学习功能,Eatron能够最大限度地提高其AI驱动的电池管理软件的性能和准确性。 两家公司正在共同帮助电动汽车(EV)制造商解决迄今为止阻碍客户越来越多地采用电动汽车的三大技术挑战:

    • 资讯英飞凌与现代汽车、起亚汽车签署了功率半导体供应协议2023-11-07

      英飞凌的功率半导体对电动汽车转型至关重要。这种转型将带动功率半导体市场强劲增长,尤其是基于功能硅材料(如SiC)的半导体市场。通过在马来西亚居林扩建厂房,英飞凌将打造全球最大的8吋SiC功率半导体厂,进一步巩固其作为高品质高产能汽车电子供应商的市场领先地位。根据英飞凌的多地点战略,居林厂将与奥地利菲拉赫和德国德勒斯登的其他据点互为补充。

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