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EPC9037/EPC9041 开发板
EPC 的 EPC9037/EPC9041 开发板（EPC9037/EPC9041 Development Boards）简化了这些集成式单片 eGaN FET 的评估过程
发布时间：2018-06-14
EPC 的开发板采用单片半桥拓扑结构和板载栅极驱动器，具有 EPC2100/1/5 eGaNICs（增强模式氮化镓集成电路）。 这些开发板旨在通过优化布局并在单个板上包含能方便连接至任何现有转换器的所有关键元件，来简化这些集成式单片 eGaN FET 的评估过程。
开发板尺寸为 2"x 2"，包括 1 个采用半桥配置的 eGaNIC，使用 Texas Instruments LM5113 栅极驱动器、电源和旁路电容器。 该开发板包含实现最佳开关性能所需的全部关键元件和布局，并且提供辅助空间用于在板上增加降压输出滤波元件。 此外，还有提供各种探测点，以便测量简单波形测量和效率计算。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | EPC9036 | 开发板/评估板/验证板（废弃） | BOARD DEV FOR EPC2100 30V EGAN | 在线订购 | |
 | | EPC9037 | 开发板/评估板/验证板（废弃） | BOARD DEV FOR EPC2101 60V EGAN | 在线订购 | |
 | | EPC9041 | 开发板/评估板/验证板（废弃） | EVAL BOARD 80V EGAN HALF BRIDGE | 在线订购 | |
 | | EPC2100ENG | MOSFETs-晶体管 | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | 在线订购 | |
| | EPC2101ENG | MOSFETs-晶体管 | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | 在线订购 | |
| | EPC2105ENG | MOSFETs-晶体管 | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | 在线订购 |
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