高电压 MOSFET
ON Semiconductor 的 SuperFET® II 超级结 MOSFET (High-Voltage MOSFETs)具有坚固耐用的体二极管性能
发布时间:2018-06-14
ON Semiconductor 的 SuperFET® II 超级结 MOSFET 拥有坚固耐用的体二极管性能,适用于要求高功率密度、高系统能效和高可靠性的设计。
高电压 MOSFET特性
以软开关拓扑结构提升了系统可靠性
轻负载条件下具有更高的能效
更低的传导损耗和驱动损耗
高电压 MOSFET应用
服务器和电信电源
太阳能逆变器
适配器
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| FCH041N60F | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 600V 76A TO247 | 在线订购 | ||
| FCD380N60E | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK | ¥12.32940 | 在线订购 | |
| FCP190N60 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 在线订购 | ||
| FCD900N60Z | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3 | ¥14.38846 | 在线订购 | |
| FCD600N60Z | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK | ¥7.77999 | 在线订购 | |
| FCD620N60ZF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3 | ¥16.70672 | 在线订购 | |
| FCP380N60 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 在线订购 | ||
| FCP380N60E | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 在线订购 | ||
| FCPF190N60 | MOSFETs-晶体管 | 通孔 N 通道 600 V 20.2A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3 | ¥7.86500 | 在线订购 | |
| FCPF400N60 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | 在线订购 | ||
| FCH041N60E | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 600V 77A TO-247 | ¥45.81060 | 在线订购 | |
| FCMT199N60 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 | ¥22.45766 | 在线订购 | |
| FCPF400N80Z | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 800V 11A ZNR | ¥17.72770 | 在线订购 | |
| FCU900N60Z | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK | 在线订购 | ||
| FCPF380N60 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | 在线订购 | ||
| FCPF260N60E | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 600V 15A TO-220F | ¥30.62569 | 在线订购 | |
| FCP190N60E | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | ¥24.61140 | 在线订购 |
应用案例
资讯安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧2024-03-28
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。
资讯安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S2024-03-26
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名为M3S,其中S代表开关。
资讯安森美推出了一款全新M3S 1200V EliteSiC功率集成模块2024-03-22
作为提高效率和优化热管理的理想解决方案,SiC技术在应用端需求的刺激下快速迭代。
资讯安森美全新推出的EliteSiC功率集成模块,可破解电动汽车充电难题2024-03-21
安森美(onsemi)全新推出的EliteSiC功率集成模块,可为电动汽车直流超快速充电桩提供双向充电功能。
资讯安森美发布全新EliteSiC功率集成模块2024-03-21
安森美公司近日发布了全新EliteSiC功率集成模块,这款创新产品为电动汽车直流超快速充电桩赋予了双向充电的先进功能。相较于传统的硅基IGBT解决方案,EliteSiC在尺寸上实现了最多40%的缩减,重量上更是达到了最多52%的减轻。这一显著的优势意味着充电平台更为紧凑、轻便,为电动汽车的直流快充技术带来了革命性的改变,大大缩短了充电时间。
资讯安森美推出一款基于PLECS的具有独特功能的领先在线仿真工具2024-03-20
Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有独特功能的领先在线仿真工具,适用于软/硬开关应用,使工程师在开发周期的早期阶段,
资讯安森美成立模拟与混合信号事业部2024-03-15
安森美(onsemi)近日宣布成立全新的模拟与混合信号事业部(AMG),以进一步加强其在电源管理和传感器接口领域的市场地位,并瞄准价值193亿美元的新增市场。该事业部由新任命的总裁Sudhir Gopalswamy领导,他将带领团队专注于扩大安森美的产品组合,并加速公司在汽车、工业和云端市场的增长。
资讯安森美调整事业部结构以扩大产品组合并加速增长2024-03-13
安森美(onsemi)(纳斯达克股票代码:ON)宣布成立模拟与混合信号事业部(AMG),并由新任命的事业部总裁SudhirGopalswamy领导。