资讯用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器使用指南2023-06-25

点击蓝字 关注我们 SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响 ，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供  NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南 。本文为

资讯大电流单通道栅极驱动器NCD（V）5700x使用外部BJT缓冲器实现软关断（STO）2023-06-16

NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。 上篇 中我们介绍了NCD(V)5700x的输入(IN)和输出(OUT)信号、输入偏置电源(VDD1)、输出正负偏置电源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和结温(TJ)、欠压闭锁(UVLO)和就绪(RDY)和去饱和(DESAT)保护和软关断(STO)这六个部分的参数、功能和设计技巧。 这篇文章我们将重点关注NCD(V)5700x的 考虑使用外部BJT缓冲器实现软关断(STO)、用于偏置电源的齐纳分离式稳压

资讯使用隔离式栅极驱动器的设计指南（三）：设计要点和PCB布局指南2023-02-11

点击蓝字 关注我们 本设计指南分为三部分，将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离栅极驱动器，并介绍实战经验。上两期分别讲解了 隔离式栅极驱动器的介绍与选型指南 以及 使用安森美(onsemi)隔离式栅极驱动器的电源、滤波设计与死区时间控制 （详情可点击查看） ，本文为第三部分，将为大家带来设计中的要点和PCB布局指南。 设计驱动器VCC时，关于上电延迟有哪些注意事项？ 对于所使用的驱动器，要设计一个高能效且快速的

资讯保姆级攻略 | 使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）2023-02-04

点击蓝字 关注我们 本设计指南分为三部分，将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离栅极驱动器，并介绍实战经验。本文为第一部分，主要包括隔离式栅极驱动器的介绍和选型指南。 安森美(onsemi) 的隔离栅极驱动器针对SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等技术所需的最高开关速度和系统尺寸限制而设计，为 MOSFET 提供可靠控制。电力电子行业的许多设计人员对于在诸多类型的电力电子应用中使用Si MOSFET、SiC和GaN MOSFET 具有丰富的经验，