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BLP05H6 50 V LDMOS 晶体管
NXP 推出其用于工业、科研和医疗应用的 50 V LDMOS 晶体管（BLP05H6 50 V LDMOS Transistors）
发布时间：2018-06-14
NXP 在其知名的 XR 系列中新推出采用 OMP 封装的 50 V LDMOS 产品，它提供 W/75 W/110 W/150 W/350 W (P,1dB) 的功率级别。 这就是支持工业、科研和医疗 (ISM) 应用的功率晶体管产品组合。 这要求极高的坚固性和最高的功率水平，如此才能以以极具吸引力价格实现高达 500 MHz 的频率。
NXP 的这款晶体管采用低成本塑料 OMP 封装 (SOT1223)，扩大了其 OMP 封装的晶体管产品组合，同时提供各种不同的功率水平选择。 NXP 的创新器件使得切换至固态技术成为现实。 这些产品也受益于 C 类操作的改进和模块布局的简化，从而有助于简化总体设计导入，甚至对于最苛刻的应用也是如此。
BLP05H6 50 V LDMOS 晶体管特性
简易功率控制
集成 ESD 保护
优异的坚固性
高能效
出色的热稳定性
设计用于宽带操作（HF 至 600 MHz）
符合有关危险物质限制 (RoHS) 的 2002/95/EC 指令
BLP05H6 50 V LDMOS 晶体管应用
工业、科技和医疗应用
广播发射器应用
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BLP05H675XRY | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | 在线订购 | |
| | BLP05H6110XRY | 时钟/计时 - IC 电池 | FET RF 2CH 135V 108MHZ HSOP4F | 在线订购 | |
| | BLP05H6350XRY | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | ￥514.20723 | 在线订购 |
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