Dual Cool 88 N 沟道 MOSFET 采用 ON Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺制造，并使用业内首款 8 x 8 PQFN 封装。 该器件同时结合了硅和 Dual Cool 冷封装技术的优势，具有最低 RDS(on)，同时在极低结环热阻条件下保持了出色开关性能。
据测评，ON Semiconductor 采用沟槽式硅技术的 Dual Cool 封装在功率密度和热性能领域绝对领先。 Dual Cool 封装技术在行业标准 PQFN 封装中同时提供底部和顶部冷却，为设计人员提供了提升性能的灵活性。 该器件的引线键合前身即已实现了增强的双路径热性能和更高的寄生效应，使用散热器后实现了更令人印象深刻的结果。 Dual Cool 解决方案无铅且符合 RoHS 规范。
Dual Cool 88 产品组合目前提供从 60 V 至 150 V 的覆盖范围，未来还会提供 30 V 和 40 V 的器件。