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    1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管、MOSFET 和模块

    1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管、MOSFET 和模块

    ROHM 为了在许多应用中实现更高节能效果推出其下一代 SiC 功率器件和模块(1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes, MOSFETs, and Modules)

    发布时间:2018-06-14

    SiC 正成为下一代、低损耗元件的最可行候选材料,因为它在高温度条件下具有较低的导通电阻和优异的特性。ROHM 正在开发 SiC 功率器件和模块,能够在大量应用领域实现功耗节约,包括用于太阳能/风能电源与电动/混合动力车辆 DC/AC 转换器的高能效逆变器,到用于工业设备和空调的电源逆变器。

    1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管、MOSFET 和模块特性

    • 低导通电阻

    • 快速开关速度

    • 快速反向恢复

    • 易于并联

    • 简单驱动

    • 无铅引线电镀

    • 符合 RoHS 规范

    1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管、MOSFET 和模块应用

    1. 太阳能逆变器

    2. DC/DC 转换器

    3. 开关模式电源

    4. 感应加热

    5. 电机驱动器

    1200 V Silicon Carbide SiC Diodes
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    应用案例

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    • 资讯ROHM开发出集VCSEL和LED特点于一体的红外光源VCSELED™2024-04-11

      ~作为温度依赖性低、广角发射且光线均匀的光源,有助于汽车驾驶辅助技术提升~ 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)确立了一项通过激光用树脂光扩散材料将垂直腔面发射激光器VCSEL*1元件密封的新型红外光源技术“VCSELED™”。该技术有望成为有助于提高汽车驾驶员监控系统(DMS*2)和座舱监控系统(IMS*3)性能的光源,因此ROHM目前正在推进利用该技术的产品开发。 作为进一步提高车辆安全性的功能,配备高级驾驶辅助系统(ADAS)的

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      电流检测用分流电阻器主要用于电机驱动电路、电源的过电流保护以及电池剩余电量检测,目前已被广泛应用于汽车、工业设备、消费电子设备等众多领域。要满足各种应用的节能要求,就需要使用高精度且高可靠性的分流电阻器进行精确的电路控制。此外,随着应用产品的功能改进,电路板上的安装密度越来越高,这就要求分流电阻器体积更小、功率更高。另外,在汽车领域,非常看重在高温环境下也能确保高电流检测精度。

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      配备罗姆的PMIC和SerDes IC等产品,助力智能座舱普及! 全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)与领先的车规芯片企业芯驰科技面向智能座舱联合开发出参考设计“REF66004”。该参考设计主要覆盖芯驰科技的智能座舱SoC*1“X9M”和“X9E”产品,其中配备了罗姆的PMIC*2、SerDes IC*3和LED驱动器等产品。另外,还提供基于该参考设计的参考板“REF66004-EVK-00x”,参考板由Core Board、SerDes Board、Display Board三部分组成。关于参考板的更详细信息,请通过销售

    • 资讯为什么逆变器这个应用领域对IGBT IPM的需求很大?2024-03-27

      ROHM于2021年4月宣布推出600V耐压IGBT IPM(Intelligent Power Module)新产品“BM6337x系列”,随后又新增了“BM6357x系列”。

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