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高能效, 60 V, 单通道 N 沟道 MOSFET
ON Semiconductor 的 60 V、N 沟道 MOSFET（High-Efficiency, 60 V, Single N-Channel MOSFETs） 具有极低的导通状态电阻，有助于提升能效水平
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 针对数据网络、电信和工业应用推出新型高能效、单通道、N 沟道器件，扩充了其广泛的功率 MOSFET 产品组合。
这些器件具有极低的导通电阻 RDS(ON)，从而将导通损耗降至最低并提升了总体工作效率水平。 这些器件的栅极电容 (Ciss) 也非常低（低至 2,164 pF），这可确保驱动器损耗保持在尽可能低的水平。
NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL 是上述器件的补充产品，额定击穿电压为 60 V。这些器件的最大 RDS(ON) 分别为 1.2 mΩ、1.5 mΩ 和 4.7 mΩ，相应的连续漏电流分别为 287 A、235 A 和 93 A。和 60 V 器件的额定结温均高达 175°C，从而让工程师在设计时拥有更大的散热空间。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | NTMFS5C646NLT1G | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V 32A SO-8FL | ￥22.26351 | 在线订购 |
| | NTMFS5C604NLT1G | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V 289A SO-8FL | ￥16.33302 | 在线订购 |
应用案例
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