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EPC2030/31/32 eGaN FET
EPC2030/31/32 具有高性能、更宽间距、芯片级封装（EPC2030/31/32 eGaN FET），扩大了 EPC 的 eGaN 功率晶体管产品线
发布时间：2018-06-14
EPC 宣布，利用间距更宽的高性能芯片级封装来扩充其 eGaN 功率晶体管产品组合阵容，以便简化大批量制造，实现可以兼容成熟制造工艺和装配线的更强兼容能力。 我们为 80 V EPC2029 器件增加了三款全新器件，其电压为 40 V (EPC2030)、60 V (EPC2031) 和 100 V (EPC2032)。
EPC2030/31/32 增强模式功率晶体管采用 1 mm 焊球间距，扩大了 EPC 的“宽松间距”器件系列阵容。 较大的间距允许在器件下方放置其它较大通孔，从而在 4.6 x 2.6 mm 这样极小的基底面内也能实现高载流能力。 与具有相似导通电阻的先进硅功率 MOSFET 相比，这些产品不但体积更小，而且具有胜过前者许多倍的开关性能。 这些产品是许多应用的理想器件，如高频 DC/DC 转换器、DC/DC 和 AC/DC 转换器中的同步整流、电机驱动器和 D 类音频等应用。
EPC2030/31/32 eGaN FET特性
EPC2030 特性
VDS：40 V
RDS(ON)：2.4 mΩ
ID：31 A
脉冲式 ID：495 A
RoHS 6/6
无卤素
EPC2031 特性
VDS：60 V
RDS(ON)：2.6 mΩ
ID：31 A
脉冲式 ID：450 A
RoHS 6/6
无卤素
EPC2032 特性
VDS：100 V
RDS(ON)：4 mΩ
ID：31 A
脉冲式 ID：300 A
RoHS 6/6
无卤素
应用案例
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该项目已取得韩国风电项目长期固定电价，将充分利用海上风力资源，积极推动韩国新能源发展、能源结构转型和海上风电相关制造产业发展，助力实现韩国2050年碳中和目标，具有显著的社会和经济效益。
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