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DMP1022UFDF/DMP2021UFDF P 沟道 MOSFET
Diodes 的 MOSFET （DMP1022UFDF/DMP2021UFDF P-Channel MOSFETs）专为高效电池管理领域中的负载切换而设计
发布时间：2018-06-14
Diodes Incorporated 增强了适用于负载切换的 P 沟道 MOSFET 产品系列。 DMP1022UFDF 和 DMP2021UFDF P 沟道 MOSFET 采用小型 2 mm x 2 mm DFN2020 封装，额定电压分别为 12 V 和 20 V。 专门针对便携式消费类电子设备中的高效电池管理负载切换而设计，如物联网 (IoT)、平板电脑、智能手机、超极本、固态硬盘 (SSD) 和硬磁盘驱动器 (HDD)。
对于电路设计人员而言，在寻找一种能够禁用低压电源轨的简单经济解决方案时，低栅极驱动条件下有保证的低 RDS(ON) 无疑是理想之选。 这样，就能以极低传导损耗切换低至 1.5 V 的电源轨。 DMP1022UFDF 的 R DS(ON) 小于 20mΩ，含 -2.5 V 栅极驱动，而 DMP2021UFDF 在 -1.8 V 栅极驱动下使该值小于 26 mΩ。 以 MOSFET 作为高压侧负载开关。切断空闲处理器内核和其它非活动电路的电源，是延长电池寿命的一种非常有效的方法。
DMP1022UFDF/DMP2021UFDF P 沟道 MOSFET特性
更高的功率密度和可靠性
DFN2020 热阻仅 10ºC/W，因而芯片温度较低，从而提高了功率密度和器件可靠性
低导通电阻
低压电源轨具有业内低栅极驱动下最低的 RDS(ON)，能以极小的传导损耗实现切换
DFN2020：基底面 4 mm²，型面 0.6 mm
仅需 4 mm² 板面积，相对于 DFN3030 减少 55%，板外高度仅 0.6 mm，非常适合于空间受限和扁平设计
DMP1022UFDF/DMP2021UFDF P 沟道 MOSFET应用
IoT
超极本
智能电话
平板电脑
SSD
HDD
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | DMP1022UFDF-7 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6 | ￥1.85264 | 在线订购 |
 | | DMP2021UFDF-7 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN | ￥1.69120 | 在线订购 |
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