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    EPC9052/53/54 开发板

    EPC9052/53/54 开发板

    EPC 的 EPC9052/53/54 开发板(EPC9052/53/54 Development Boards)设置为差分工作模式

    发布时间:2018-06-14

    EPC 的 GaN 基差分模式开发板的工作频率可达 30 MHz。 这些评估板易于使用,能让电源系统设计人员轻松评估氮化镓晶体管的出色性能,快速实现产品批量生产。 这些开发板专为诸如无线充电等 E 类应用而设计,但也可用于采用低压侧开关的任何应用。 具体实例包括推挽式转换器、D 类放大器、电流模式双向开关、如 LiDAR 之类通用高电压窄脉冲宽度应用等。
    这些开发板采用额定电压为 200 V 的 eGaN FET。 放大器设置为在差分模式下工作,而且可以重新配置为单端工作模式;包含栅极驱动器和逻辑电源稳压器。 这三种板均具有常见的偏好规范。 工作负载条件(包括配置)决定最佳设计负载电压和电阻。

    Bumped Die
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    EPC2012CMOSFETs-晶体管TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE¥24.89622在线订购
    EPC2019MOSFETs-晶体管TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE¥15.45439在线订购
    EPC2010CMOSFETs-晶体管TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE¥55.93080在线订购
    EPC9052/53/54 Development Boards
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    EPC9054开发板/评估板/验证板(废弃)BOARD DEV EPC2010C EGAN FET在线订购
    EPC9052开发板/评估板/验证板(废弃)EPC2012C eGaN® Series Power Management Evaluation Board在线订购
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    应用案例

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