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60 V、双重、N 沟道沟槽式 MOSFET
NXP 的 60 V、双重、N 沟道沟槽式 MOSFET（60 V, Dual, N-Channel Trench MOSFET） 具有超过 2 kV HBM 的静电放电保护 (ESD) 能力
发布时间：2018-06-14
NXP 的 NX7002BKXBZ 是一款采用沟槽式 MOSFET 技术的双重、N 沟道、增强模式场效应晶体管 (FET)，其封装为无铅、超小型 DFN1010B-6 (SOT1216)、表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
60 V、双重、N 沟道沟槽式 MOSFET特性
兼容逻辑电平
无铅、超小型、超薄 SMD 塑料封装 (1.1 mm x 1.0 x 0.37 mm)
沟槽式 MOSFET 技术
静电放电 ESD 保护能力超过 2 KV HBM
60 V、双重、N 沟道沟槽式 MOSFET应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低压侧负载开关
开关电路
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BSH205G2R | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 20V 3.00 x 1.40mm SMT SOT23 2.3A | ￥0.90209 | 在线订购 |
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