高速 CMOS SDRAM

Alliance Memory 提供 2 M x 32 位和 4 M x 32 位同步 DRAM （High-Speed CMOS SDRAMs）

发布时间：2018-06-14

Alliance Memory 扩展了其 64 M 和 128 M SDRAM 产品线，推出 2 M x 32 AS4C2M32S 和 4 M x 32 AS4C4M32S 器件。高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 采用 90 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封装和 86 引脚 400 mil 塑料 TSOP II 封装。对于要求高存储器带宽的产品中的大量类似解决方案，这些器件无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。

高速 CMOS SDRAM特性

时钟唤醒时间缩短至 5.4 ns
快速时钟速率：143 MHz 和 166 MHz
商用温度范围 0°C 至 70°C
采用 +3.3 V (±0.3 V) 单电源工作
可编程读或写猝发长度为 1、2、4、8 或全页面，且可选猝发端接
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能
无铅 (Pb)、无卤素

高速 CMOS SDRAM应用

工业
电信
消费类产品

High-Speed CMOS SDRAMs
数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	操作
	AS4C2M32S-6BIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA	在线订购
	AS4C4M32SA-7TCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II	在线订购
	AS4C4M32S-7BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA	在线订购
	AS4C2M32SA-7TCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II	在线订购
	AS4C2M32S-7BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA	在线订购
	AS4C4M32SA-6TIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II	在线订购
	AS4C4M32S-6BIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA	在线订购
	AS4C4M32SA-6TCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II	在线订购
	AS4C2M32SA-6TIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II	在线订购
	AS4C2M32SA-6TCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II	在线订购