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高速 CMOS DDR SDRAM

Alliance Memory 推出 AS4C32M8D1/16D1 和 AS4C64M8D1/16D1 高速 CMOS DDR SDRAM（High-Speed CMOS DDR SDRAMs）

发布时间：2018-06-14

Alliance Memory 的 AS4C32M8D1、AS4C32M16D1A、AS4C64M8D1 和 AS4C64M16D 高速 CMOS 双数据速率同步 DRAM (DDR SDRAM) 的容量为 256 MB、512 MB 和 1 GB，是现有 64 M (4 M x 16)/(2 M x 32) 和 128 M (8 M x 16)/(4 M x 32) DDR1 产品组合的新成员。对于要求高存储器带宽的工业、医疗、通信和电信产品产中的大量类似解决方案，这些器件无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。

高速 CMOS DDR SDRAM特性

采用 60 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封装和 66 引脚 TSOP II 封装，引脚间距为 0.65 mm
内部配置为四个 32 M 字 x 8 位存储体 (AS4C32M8D1)、四个 64 M 字 x 8 位存储体 (AS4C64M8D1) 和四个 64 M 字 x 16 位存储体 (AS4C64M16D1)，且均具有同步接口
支持商业级（0°C 至 +70°C）和工业级（-40°C 至 +85°C）温度范围
可编程读或写猝发长度为 2、4 或 8
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能
快速时钟速率：200 MHz 和 166 MHz
采用 +2.5 V (±0.2 V) 单电源工作
无铅 (Pb)、无卤素

High-Speed CMOS DDR SDRAMs
数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	价格	操作
	AS4C32M16D1A-5TIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II		在线订购
	AS4C32M16D1A-5TCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II	￥0.01240	在线订购
	AS4C64M16D1-6TCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP II		在线订购
	AS4C64M16D1-6TIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP II		在线订购
	AS4C64M8D1-5TIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II		在线订购

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高速 CMOS DDR SDRAM

高速 CMOS DDR SDRAM特性