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AS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM

Alliance Memory 针对需要高存储器带宽的产品推出高速 CMOS DDR1 SDRAM（AS4CxM16D1 High-Speed CMOS DDR1 SDRAMs）

发布时间：2018-06-14

Alliance Memory 的 AS4C4M16D1、AS4C8M16D1、AS4C16M16D1、AS4C32M16D1 和 AS4C64M16D1 高速 CMOS 双数据速率同步 DRAM (DDR1 SDRAM) 的容量分别为 64 MB、128 MB、256 MB、512 MB 和 1Gb，均采用 66 引脚 TSOP II 封装。这些器件非常适合用于各种要求高存储器带宽的产品，且特别适合高性能 PC 应用，成为大量类似解决方案的可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。

温度范围

商业级：0°C 至 +70°C
工业级（-40°C 至 +95°C）
汽车级 (-40°C~105°C)（仅限 AS4C4M16D1A-5TAN）

AS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM特性

内部配置为四组 1M (AS4C4M16D1)、2M (AS4C8M16D1)、4M (AS4C16M16D1)、8M (AS4C32M16D1) 或 16M (AS4C64M16D1) x 16 位存储器，带有一个同步接口
可编程读写猝发长度为 2、4 或 8
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能
快速时钟速率：200 MHz 和 166 MHz
数据速率：每引脚 400 Mbps
采用 +2.5 V (±0.2 V) 单电源工作
无铅 (Pb)、无卤素

AS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM应用

医疗
通信
工业
消费类产品
PC 应用

AS4C16M16D1 Series Memory DRAM ICs
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AS4C32M16D1 Series Memory DRAM ICs
图片	数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	价格	操作
		AS4C32M16D1A-5TIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II		在线订购
		AS4C32M16D1A-5TCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II	￥0.01240	在线订购

AS4C4M16D1 Series Memory DRAM ICs
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AS4C64M16D1 Series Memory DRAM ICs
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AS4C8M16D1 Series Memory DRAM ICs
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AS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM

AS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM特性

AS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM应用