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高速 CMOS x32 SDRAM

Alliance Memory 的 CMOS x 32 SDRAM （High-Speed CMOS x32 SDRAMs）支持 -40 °C 至 +85 °C 的工业温度范围

发布时间：2018-06-14

Alliance Memory 的 2M x 32（AS4C2M32SA-6TIN 和 AS4C2M32S-6BIN)、4M x 32（AS4C4M32SA-6TIN 和 AS4C4M32S-6BIN）和 8M x 32（AS4C8M32S-6TIN 和 AS4C8M32S-6BIN）高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 支持 -40 °C 至 +85 °C 的工业温度范围。在需要高存储带宽的产品中，这些器件成为大量类似解决方案可靠的插入式引脚兼容替代品。

高速 CMOS x32 SDRAM特性

采用 90 焊球、8 mm x 13 mm x 1.2 mm、TFBGA 封装
2 M x 32 和 4 M x 32 器件同时提供 86 引脚 400 mil 塑料 TSOP II 封装
8M x 32 器件同时提供 54 引脚 TSOP II 封装
提供商业或工业额定温度范围：
0 °C 至 70 °C（AS4C2M32SA-6&7TCN/AS4C4M32SA-6&7TCN/AS4M32S-6BIN 和 AS4C8M32S-7TCN/AS4C8M32S-7BCN）
-40 °C 至 +85 °C（AS4C2M32SA-6TIN/AS4C2M32S-6BIN、AS4C4M32SA- 6TIN/AS4C4M32S-6BIN 和 AS4C8M32S-6TIN/AS4C8M32S-6BIN）
快速时钟访问时间：低至 5.4 ns
快速时钟速率：143 MHz 和 166 MHz（8M x 32、4M x 32 和 2M x 32）
可编程的读或写猝发长度：1、2、4、8 或带猝发终止选项的全页面
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能

高速 CMOS x32 SDRAM应用

工业
商业
医疗
电信
网络产品

x32 SDRAM ICs
数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	操作
	AS4C2M32S-6BIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA	在线订购
	AS4C2M32SA-7TCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II	在线订购
	AS4C2M32S-7BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA	在线订购
	AS4C2M32SA-6TIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II	在线订购
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