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高速 DDR3 和 DDR3L SDRAM

Alliance Memory 推出具有最小芯片微缩的 DDR3 和 DDR3L SDRAM（High-Speed DDR3 and DDR3L SDRAMs）

发布时间：2018-06-14

Alliance Memory 的高速 CMOS、双数据速率 3 同步 DRAM (DDR3 SDRAM) 和低电压、DDR3L SDRAM 产品线的容量为 1 GB、2 GB、4 GB 和 8G，采用 78 焊球、9 mm x 10.5 mm x 1.2 mm 和 96 焊球、9 mm x 13 mm x 1.2 mm FBGA 封装。DDR3 (1.5 V) 和 DDR3L (1.35 V) 具有最小的芯片微缩，对于大量搭配新一代微控制器使用的类似解决方案来说，无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品，无需进行成本高昂的再设计和零件认证。

温度范围

商业级（扩展）：0°C 至 +95°C
工业级：-40°C 至 95°C
汽车级：-40°C 至 +105°C

高速 DDR3 和 DDR3L SDRAM特性

内部配置为 64 M、128 M、256 M、512 M、1 G x 8 位和/或 16 位存储体，且每种容量均为八个存储体
电源：

+1.5 V (±0.075 V)（AS4C64M16D3、AS4C128M8D3、AS4C128M16D3、AS4C256M8D3、AS4C256M16D3 和 AS4C512M8D3 DDR3 SDRAM）
+1.35 V（AS4C64M16D3L、AS4C128M8D3L、AS4C128M16D3L、AS4C256M8D3L、AS4C256M16D3L、AS4C512M8D3L、AS4C512M16D3L 和 AS4C1G8MD3L DDR3L SDRAM）

采用 78 焊球和 96 焊球 FBGA 封装
双数据速率 3 架构，可实现极快的每引脚 1600 Mbps 数据速率和 800 MHz 时钟速率
增强型、协作、共存算法
支持商业级（扩展）温度范围 0°C 至 +95°C 和工业级 -40°C 至 +95°C 温度范围
完全同步工作
可编程读或写猝发长度为 4 或 8
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
符合 RoHS 规范
无铅 (Pb)、无卤素
可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能

高速 DDR3 和 DDR3L SDRAM应用

工业
消费
电信产品

DDR3 and DDR3L SDRAMs
数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	操作
	AS4C1G8MD3L-12BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA	在线订购
	AS4C512M16D3L-12BIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA	在线订购
	AS4C128M16D3LA-12BIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA	在线订购
	AS4C512M16D3L-12BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA	在线订购
	AS4C256M16D3LA-12BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA	在线订购
	AS4C256M16D3L-12BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA	在线订购

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高速 DDR3 和 DDR3L SDRAM特性

高速 DDR3 和 DDR3L SDRAM应用