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AS4C512M16D3L 高速、低压 CMOS DDR3L SDRAM

Alliance Memory 推出 AS4C512M16D3L 单片高速、低压 CMOS 双倍数据速率 3 同步 DRAM（AS4C512M16D3L High-Speed, Low-Voltage CMOS DDR3L SDRAM）

发布时间：2018-06-14

Alliance Memory 的 AS4C512M16D3L 单片高速、低压 CMOS 双倍数据速率 3 同步 DRAM (DDR3L SDRAM) 采用 8GB 密度 96 焊球、9 mm x 14 mm、无铅 (Pb) FBGA 封装。该单芯片器件带有最小的芯片散热器，为大量类似解决方案提供了一种可靠的直接替代式、引脚对引脚兼容的替代品。它们配套采用了新一代微处理器，广泛用于各种工业、医疗、网络、电信和航空航天应用，无需昂贵的重新设计和零件重复鉴定。这种 8 GB DDR3L 是既需要增加存储空间又面临着板空间限制的应用的逻辑选择。

AS4C512M16D3L 高速、低压 CMOS DDR3L SDRAM特性

采用 96 焊球、9 mm x 14 mm、无铅 (Pb) FBGA 封装
由 Micron Technology 提供的先进硅器件
高达 1600 Mbps/引脚和 800 MHz 时钟速率的极快传输速率
采用商业扩展温度范围（0°C 至 +95°C）和工业温度范围（-40°C 至 +95°C）
内部配置为 8 组 64 M x 16 位（参数 512 M x 16）存储空间
使用 +1.35 V 单电源供电
全同步工作
可编程读或写猝发长度为 4 或 8
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能

High-Speed Low-Voltage CMOS DDR3L SDRAM
图片	数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	价格	操作
		AS4C512M16D3L-12BIN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA		在线订购
		AS4C512M16D3L-12BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA		在线订购

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AS4C512M16D3L 高速、低压 CMOS DDR3L SDRAM

AS4C512M16D3L 高速、低压 CMOS DDR3L SDRAM特性