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密度低至 16 MB 的 AS4C1M16S-7TCN 高速 CMOS SDRAM
Alliance Memory 提供其 AS4C1M16S-7TCN 1 M x 16 位同步 DRAM (SDRAM)（AS4C1M16S-7TCN High-Speed CMOS SDRAM with Low 16 MB Density）
发布时间：2018-06-14
Alliance Memory 的 AS4C1M16S-7TCN 是高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM)，采用 50 引脚、400 密耳塑料 TSOP II 封装，具有低至 16 MB 的密度。 该器件为大量类似的解决方案提供了可靠的直接替代式、引脚对引脚兼容式替代品。
密度低至 16 MB 的 AS4C1M16S-7TCN 高速 CMOS SDRAM特性
5.4 ns 时钟、6/7 ns 时钟周期的快速访问时间
143/166 MHz 的快速时钟速率
内部配置为双组 512 K 字 x 16 位存储器，带有同步接口
1、2、4、8 或全页面可编程读或写猝发长度，带有猝发端接选择
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时行预充电
JEDEC 标准 +3.3 V (±0.3 V) 电源
无铅、无卤素
密度低至 16 MB 的 AS4C1M16S-7TCN 高速 CMOS SDRAM应用
医疗
工业
汽车
需要高存储带宽的电信应用
高性能 PC 应用
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | AS4C1M16S-7TCN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | 在线订购 | |
| | AS4C1M16S-6TIN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | 在线订购 |
应用案例
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