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AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM
Alliance Memory 提供其 32 M（2 M x 16 / 4 M x 8 可切换式）AS6C3216 IC 高密度、低功耗 CMOS SRAM（AS6C3216 High-Density, Low-Power 32 M CMOS SRAM）
发布时间：2018-06-14
Alliance Memory 的 AS6C3216 是一款 33,554,432 位的低功耗 CMOS 静态随机存取存储器，存储空间为 2,097,152 字 x 16 位或 4,194,304 字 x 8 位。该器件采用高性能、高可靠性 CMOS 技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定。AS6C3216 非常适合低功耗应用，尤其是适合采用电池后备电源的非易失性存储器应用。AS6C3216 工作时采用 2.7 V ~ 3.6 V 的单电源供电，且所有输入和输出都均完全兼容 TTL。
AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM特性
使用 2.7 V 至 3.6 V 单电源供电
55 ns 快速访问时间
低功耗，典型工作电流为 45 mA，待机电流为 10 µA
最小 1.2 V 数据保持
全静态工作和三态输出
全 TTL 兼容型输入和输出
48 引脚、12 mm x 20 mm TSOP-I 封装和 48 焊球 8 mm x 10 mm TFBGA 封装
AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM应用
低功耗工业、电信、医疗和汽车应用
采用电池后备电源的非易失性存储器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | AS6C3216A-55TIN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I | ￥217.18928 | 在线订购 |
应用案例
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