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ZXMS6004 IntelliFET
Diodes 的 ZXMS6004 IntelliFET 60 V N 沟道自保护 IntelliFET （ZXMS6004 IntelliFET）可提高标准 MOSFET 的智能性和可靠性
发布时间：2018-06-14
Diodes Incorporated 扩展了 ZXMS6004 系列自保护低压侧 IntelliFET 器件阵容，包含单配置 (ZXMS6004N8) 和双配置 (ZXMS6004DN8) 行业标准 SO-8 封装。 与标准 MOSFET 开关不同，ZXMS6004 在一个高热效率封装中同时集成了MOSFET 和智能电路。 该器件旨在同时保护设备和负载，具有过压、过流、过热和 ESD 保护功能，可用作由 3.3 V 或 5 V 微控制器驱动的通用开关。 专门用于标准 MOSFET 不能适应的恶劣环境。 此外，还可减少元件数，减小 PCB 尺寸，降低复杂性和系统整体成本。 该器件非常适用于各种消费类电子设备和工业应用， 包括灯、继电器、螺线管驱动、远程 I/O 控制器输出、分布式 I/O 模块、警报系统、GPS 系统和 HVAC。 行业标准 SO-8 封装非常适用于当今高速、全自动装配工艺，是一种纯绿色产品且符合 RoHS 规范。
ZXMS6004 IntelliFET特性
ESD 保护
输入箝位二极管保护 MOSFET 栅极和达到 4 kV 的保护电路（人体模型）。 漏源极受其内置的密勒电容、有源箝位和反向（体漏）二极管保护
过热保护
过热保护电路包含温度传感器和滞后子电路，当器件温度达到(TJT_TYP=175°C) 时，关断内部栅极，以中断耗散。 当温度降低约 10°C 时，栅极再次导通。
过压保护
有源箝位电路保护 MOSFET 和负载。 如果该电路检测到电压高于 65 V，则有源箝位 (VDS(AZ)_TYP=65V) 将允许整个受电区域导通，共同承受过电压能量
过流保护
当 VDS 大到足以导致过大功率耗散时，过流保护电路使限制 MOSFET 电流的栅极驱动电流减小
ZXMS6004 IntelliFET应用
GPS
HVAC
分布式 I/O 模块
警报系统
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | ZXMS6004DN8-13 | 电源开关/负载开关-电源管理 | IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO | ￥5.60520 | 在线订购 |
 | | ZXMS6004N8-13 | 电源开关/负载开关-电源管理 | IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO | ￥2.45160 | 在线订购 |
应用案例
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