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AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM

Alliance Memory 的 AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM （AS4C128M16D2 High-Speed CMOS DDR2 SDRAM）支持高速数据传输，系统频率高达 400 MHz

发布时间：2018-06-14

Alliance Memory 的 AS4C128M16D2 高速 CMOS 双数据速率 2 同步高密度 DRAM (DDR2 SDRAM) 容量为 2 Gb，采用 84 焊球 8 mm x 12.5 mm x 1.2 mm FBGA 封装。对于汽车、工业、消费电子、网络和医疗等要求高存储带宽的产品中的大量类似解决方案，AS4C128M16D2 无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。

AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM特性

84 焊球、8 mm x 12.5 mm x 1.2 mm FBGA 封装
支持商业级温度范围（0°C 至 +85°C）和工业级温度范围（-40°C 至 +95°C）
内部配置为 8 组 16 Mb x 16 存储器，带有同步接口
采用 +1.8 V (±0.1 V) 单电源工作
快速时钟速率 400 MHz，数据速率 800 Mbps/引脚
可编程读或写猝发长度为 4 或 8
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能
符合 RoHS 规范

AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM应用

汽车
工业
消费
网络
医疗

High-Speed CMOS DDR2 SDRAM
图片	数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	价格	操作
		AS4C128M16D2A-25BCN	MRAM磁性随机存储器-存储器	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA	￥49.72000	在线订购
		AS4C128M16D2A-25BIN	其他存储器-存储器	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA		在线订购

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AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM

AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM特性

AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM应用