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SIHJ6N65E、SIHJ7N65E 和 SIHJ8N60E E 系列 MOSFET
Vishay 采用 PowerPAK® SO-8L 封装的 600 V 和 650 V E 系列 MOSFET （SIHJ6N65E, SIHJ7N65E, and SIHJ8N60E E Series MOSFETs）提高了可靠性并降低了封装电感
发布时间：2018-06-14
Vishay 向其 600 V 和 650 V E 系列功率 MOSFET 产品线添加三个采用紧凑型 PowerPAK® SO-8L 封装的 N 沟道器件。 Vishay Siliconix 的 600 V SiHJ8N60E 以及 650 V SiHJ6N65E 和 SiHJ7N65E 提高了可靠性，并提供更小的封装电感，可在照明、工业、电信、计算机和消费类应用中取代采用 TO-252 (DPAK) 封装的 MOSFET 并节省空间。
这种 PowerPAK SO-8L 封装完全符合 RoHS 规范，无卤素并简化了与其它表面贴装元件（如无源元件）配合使用的制造流程
与 TO-252 (DPAK) 封装器件相比高度减半，且仅占用一半的板空间
降低了封装电感，并提升更高工作频率下的性能
基于 Vishay 的最新高能效 E 系列超级结技术
较低的栅极电荷与导通电阻乘积，这是在功率转换应用中使用的 MOSFET 的一项关键品质因数 (FOM)
SIHJ6N65E、SIHJ7N65E 和 SIHJ8N60E E 系列 MOSFET特性
采用由 Vishay Siliconix设计和开发、节省空间的表面贴装 PowerPAK SO-8L 封装
紧凑的 5 mm x 6 mm 基底面
相比采用无引线 DFN 封装的 MOSFET 具有更高的可靠性
无卤素绿色模塑料，完全符合 RoHS 规范
低导通电阻和低栅极电荷降低了导通和开关损耗，因此更节能
能够承受在雪崩和换向模式下的高能量脉冲，具有通过 100% UIS 测试的保证限值
SIHJ6N65E、SIHJ7N65E 和 SIHJ8N60E E 系列 MOSFET应用
功率因数校正
反激式和两开关正激式转换器
HID 和 LED 照明的硬开关拓扑结构
工业
电信
消费类
计算机电源适配器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIHJ6N65E-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L | 在线订购 | |
| | SIHJ8N60E-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH600VPOWERPAKSO-8L | ￥17.93606 | 在线订购 |
| | SIHJ7N65E-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L | 在线订购 |
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