主页所有制造商Infineon12 V 保护开关扩展板

    12 V 保护开关扩展板

    12 V 保护开关扩展板

    Infineon Technologies 12 V 保护开关扩展板(12 V Protected Switch Shield)可实现开关应用的快速原型开发

    发布时间:2018-06-14

    Infineon Technologies SHIELDBTS500151TADTOBO1 是 12 V 的 Arduino 保护高压侧开关扩展板。 该器件可为 Arduino 项目增加功能强大的高压侧开关。 扩展板可使用微控制器的一般逻辑 IO 端口控制。 高压侧开关扩展板还可以独立模式使用而无需任何微控制器板。 由于输入的引脚 IN 可以直接连接到 VS(电池电压),对这种高压侧开关扩展板执行初始独立测非常简便。
    这一高压侧开关扩展板安装有具备自我保护功能的 BTS500151TADATMA1。 BTS500151TADATMA1 是 N 沟道高压侧 MOSFET,集成有来自 Infineon Technologies 的单一封装 Power PROFET™ 系列驱动器 IC。 除了驱动器,还集成有多种安全功能,如过热、短路和过压保护。 借助改进的电流检测引脚 IS,该器件采用可在发生过热关断、电路短路或开路负载后提供故障反馈。 有关详细信息,请参阅 BTS500151TADATMA1 规格书。 BTS500151TADATMA1 可以通过对 IN 引脚施加逻辑电平信号方便地控制。

    12 V 保护开关扩展板特性

    • 可完全针对不同的负载类型(如阻性、感性和容性)配置,受限于箝位能量

    • 高压侧开关 (BTS500151TADATMA1)

    • 在短路或过热检测后锁存状态信号

    • 输出过压保护(最小 28 V)的有源箝位

    • 增强短路保护

    • 可用于低频率 PWM

    • 驱动器电路采用逻辑电平输入

    • 诊断功能

    • 超温、过流和过压保护

    • 通过五个 LED 和一个按钮与环境通信

    • 按钮实现易于操作,可处理相关中断

    • 独立演示和微控制器模式

    • 易于使用

    • 可通过 Arduino 兼容的微控制器板控制,包括 Infineon XMC™ 微控制器板

    12 V Protected Switch Shield Evaluation Board
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    SHIELDBTS500151TADTOBO1扩充板-开发套件/万能板/PCB板-开发板/套件/编程器EVAL12VPROTECTSWITCHSHIELD在线订购
    IC Switches
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    BTS500151TADATMA1电源开关/负载开关-电源管理IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-7¥26.59100在线订购

    应用案例

    • 资讯英飞凌汽车级IGBT管AIGW40N65H52023-02-24

      编辑-Z AIGW40N65H5用的TO-247封装,是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW40N65H5的功耗(Ptot)为250W,集电极截止电流(ICES)为40uA,G−E漏电流(IGES)为100nA,其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW40N65H5的输入电容(Ciss)为2300pF,输出电容(Coss)为43pF。AIGW40N65H5的电性参数是:脉冲集电极电流(I

    • 资讯英飞凌汽车级IGBT管AIGW50N65H52023-02-24

      AIGW50N65H5用的TO-247封装,是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW50N65H5的功耗(Ptot)为270W,集电极截止电流(ICES)为40uA,G−E漏电流(IGES)为100nA,其 工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容(Ciss)为2800pF,输出电容(Coss)为54pF。AIGW50N65H5的电性参数是:脉冲集电极电流(ICpuls)为 150A,集电极到发射极电压(VCES)为650V,打开延迟时间td(on)为21ns,

    • 资讯英飞凌AIGW40N65H5汽车级IGBT参数2023-02-24

      英飞凌AIGW40N65H5汽车级IGBT参数: 型号:AIGW40N65H5 脉冲集电极电流(ICpuls):120A 功耗(Ptot):250W 工作结温度(Tvj):-40 ~ 175℃ 储存温度(Tstg):-55 ~ 150℃ 集电极-发射极电压(VCE):650V G−E阈值电压VGE(th):4.0V 集电极截止电流(ICES):40uA G−E漏电流(IGES):100nA 输入电容(Cies):2300pF 输出电容(Coes):43pF 打开延迟时间t

    • 资讯如何将现有设计从TDA5200或TDA5201修改为MAX1470超外差接收器2023-02-23

      本应用笔记介绍了用MAX5200超外差接收器替换设计中的TDA5201或TDA1470所需的分步步骤。

    • 资讯三相半桥IGBT内部结构示意图2023-02-23

      以英飞凌的IGBT为例原理图如下:引脚分布: 内部结构照片大方块是IIGBT,小方块是二极管方块上面是发射机,小方块上面是二极管正极

    • 资讯英飞凌将在MWC 2023上展示其最新半导体技术如何助力构建更舒适、环保的物联网2023-02-22

      【 2023 年 02 月 22 日, 德国慕尼黑 讯】 物联网技术为克服当今社会所面临的诸多挑战提供了可能,甚至能够改善生活质量、增强便利性以及提高工业生产力。而包括传感器、执行器、微控制器、连接模块以及安全组件等在内的微电子技术是所有物联网解决方案的核心。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)可提供所有微电子技术相关的产品,并将在2月27日至3月2日巴塞罗那举行的2023年世界移动通信大会(MWC)上,向参观者展示这些产品以

    • 资讯英飞凌IGBT2023-02-16

      英飞凌IGBT 英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高,在设计灵活性上也丝毫不妥协 我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列,它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级,适用于几乎所有应用。市场知名的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK™和XHP™系列功率模块都采用了最新的IGBT技术。它们有斩波器、DUAL、PIM、四单元、六单元、十二单元、三电平、升压器或单开关配置,电流等级从6 A到3600 A不等。IGBT模块的适用功率小

    • 资讯英飞凌推出PQFN封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET2023-02-16

      未来电力电子系统的设计将持续推进,以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势,英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm² PQFN 封装的源极底置功率MOSFET,电压范围涵盖25-150 V,并且有底部散热(BSC)和双面散热(DSC)两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进,为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案,同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。

    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照