资讯Vishay推出先进的30V N沟道MOSFET，进一步提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效2021-05-25

器件采用PowerPAK® 1212‑8S封装，导通电阻低至0.95 mW，优异的FOM仅为29.8 mW*nC。

资讯Vishay推出新型TrenchFET第五代功率MOSFET2021-05-28

Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212‑8S 封装，导通电阻低至 0.95 mΩ，优异的 FOM 仅为 29.8 mΩ*nC Vishay 推出多功能新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S 封装，10 V 条件下导通电阻仅为 0.95 mΩ，比上一代产品低 5 %。此外， 4.5 V 条件下器件导通电阻为 1.5 mΩ，而 4.5 V 条件下导通电阻与栅极电荷乘积，即 MOSFET 开关应用重要优值系数（FOM）为 29.

资讯Vishay推出全新交流滤波金属化聚丙烯薄膜电容器2021-05-17

Vishay 推出适用于高湿环境的全新系列交流滤波金属化聚丙烯薄膜电容器。 Vishay Roederstein MKP1847C 交流滤波电容器可承受苛刻的温湿度偏压（THB）测试——在额定电压，温度 40˚C，相对湿度  93% 条件下测试长达 56 天——器件电气性能未发生变化。   日前发布的电容器恶劣环境条件下工作时，确保容量和ESR值稳定，使用寿命周期长。与上一代器件相比，在相同封装尺寸的情况下，MKP1847C 交流滤波系列电容器具有更高湿度稳健性并降低了成本。器件性能可

资讯Vishay带来全新解决方案亮相ACR汽车48V系统技术论坛2021-05-17

ACR 汽车 48V 系统技术论坛 4月9日，第四届 ACR 汽车 48V 系统技术论坛在上海成功举办。在本次论坛上，各大厂商都拿出了看家本领，就 48V 系统零部件配合、48V 综合控制策略、48V 轻混在中国市场的发展趋势等话题展开热烈探讨。 作为赞助商，Vishay 不仅带来了全新 48V 解决方案参展，同时，Vishay 专家还作为特邀演讲嘉宾，和参会的行业伙伴们分享了Vishay 最新上市的适用于 48V 的技术方案以及相关参考设计，致力为汽车行业添砖加瓦。 Part 1 Vishay 展出了什