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650 V、SuperFET® III MOSFET
ON Semiconductor 推出其 650 V、SuperFET® III MOSFET（650 V, SuperFET® III MOSFETs），相同封装尺寸具有更高的功率密度和超过 40% 的 Rds(on) 降低
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 的 650 V、SuperFET III 系列是为实现高功率密度而专门设计的高性能超级结 MOSFET。 相比上一代行业领先技术，SuperFET III 技术在相同的封装尺寸下使得 Rds(on) 降低了 40% 以上，能够让产品设计人员减小封装尺寸或增加相同封装的功率。
650 V、SuperFET® III MOSFET特性
能够实现更高系统能效的同类最佳 FOM 和 Eoss
先进的充电平衡技术
具有更低栅极振荡和 EMI 的高均衡型开关特性
同类最佳坚固型体二极管
所有易驱动型 MOSFET 中 Rsp 最低
650 V、SuperFET® III MOSFET应用
服务器
电信系统
EV 充电器
工业系统
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FCPF067N65S3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V 44A TO220F | 在线订购 | |
 | | FCH023N65S3L4 | MOSFETs-晶体管 | SUPERFET3 650V, 23MOHM,TO247_4L | 在线订购 | |
 | | FCB070N65S3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK | ￥32.81520 | 在线订购 |
 | | FCP067N65S3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V 44A TO220 | 在线订购 |
应用案例
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