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SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET® 功率 MOSFET
Vishay 的 MOSFET （SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET® Power MOSFET）具有业内领先的低导通电阻，提高了功率密度和效率
发布时间：2018-06-14
Vishay Siliconix SiA468DJ 提供业内最低导通电阻和最高连续漏电流的 30 V 器件，采用 2 mm × 2 mm 塑料PowerPAK® SC-70 封装，比采用 PowerPAK 1212 封的器件缩小了 60%。
相比前一代解决方案，SiA468DJ 的导通电阻降低了 51%，并相比同类竞争产品的性能提升了 7%。该系列的连续漏电流比前一代器件高 68%，且比最接近的同类竞争解决方案高 50%。
SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET® 功率 MOSFET特性
极低的导通电阻时间栅极电荷品质因数 (FOM)，针对不同的电源转换拓扑结构进行了优化
业内一流的导通电阻，降低了传导损耗并提升效率
高连续漏电流，能在遇到更高瞬态电流的应用中提供足够的安全裕量
采用超紧凑的 PowerPAK SC-70 封装
符合 RoHS 规范，经 100% RG 测试，无卤素
SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET® 功率 MOSFET应用
DC/DC 转换和电池管理背对背负载切换
笔记本电脑
平板电脑
虚拟现实头盔
DC/DC 模块
无线充电器 H 桥
无人机电机驱动控制
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIA468DJ-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH30V37.8ASC70-6 | ￥1.83299 | 在线订购 |
应用案例
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
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