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NTMFS5H4xx 和 NTMFS5H6xx 功率 MOSFET
ON Semiconductor 推出功率 MOSFET（NTMFS5H4xx and NTMFS5H6xx Power MOSFETs），提供低至 0.8 mΩ 的 RDS(ON) 值
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor NTMFS5H4xx 和 NTMFS5H6xx 40 V 和 60 V 功率 MOSFET 提供低至 0.8 mΩ 的 RDS(ON) 值，能显著地降低传导损耗并提升总体工作效率水平。这些器件还具有非常低的 QG 和输入电容，可确保驱动器损耗保持在尽可能低的水平。这些器件均采用小型基底面 SO8FL 封装。
NTMFS5H4xx 和 NTMFS5H6xx 功率 MOSFET特性
小型基底面 SO8FL (5 x 6) 封装
次 mΩ 级 RDS(ON) 将传导损耗降至最低
60 V：1.3 mΩ @ 10 V（最大值）至 1.7 mΩ @ 4.5 V（最大值）
40 V：1.1 mΩ @ 10 V（最大值）至 1.6 mΩ @ 4.5 V（最大值）
低 QG 和电容将驱动损耗降至最低
60 V：40 nC @ 4.5 VGS（典型值）至 89 nC @ 10 VGS（典型值）
40 V：41 nC @ 4.5 VGS（典型值） 至 89 nC @ 10 VGS（典型值）
进一步提升了开关参数
60 V：tRR 72 ns（典型值）
40 V：tRR 59 ns（典型值）
NTMFS5H4xx 和 NTMFS5H6xx 功率 MOSFET应用
高能效 DC-DC 转换
初级侧 MOSFET
次级同步整流
降压稳压器
高能效 AC-DC 转换
次级同步整流
网络/电信
服务器
AC 适配器
手持电动工具
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | NTMFS5H600NLT1G | MOSFETs-晶体管 | T860VMOSFET | 在线订购 |
应用案例
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