IXYS公司（IXYS）  采用10 A / 4000 V双通道隔离栅极驱动器IXIDM1401_1505_O。它采用IX6610和IX6611栅极驱动芯片组构建，允许3.3 V微控制器（MCU）通过4 kV隔离栅来控制半桥配置中的IGBT和MOSFET。PWM信号可以短至500 ns，开关频率没有下限。它能够驱动额定电压高达1700 V的高功率IGBT和MOSFET模块。

IXIDM1401_1505_O栅极驱动核可支持高达250 kHz的开关频率。两个输出通道彼此电隔离并且与初级侧电隔离。内部电源可为每通道隔离电源提供高达2 W的功率，以驱动上下IGBT（或MOSFET），从而有效地将MCU与高功率电路隔离。它采用单极性15 V电源供电，为IGBT门提供+15 V / -5 V和10 A峰值电流，并为相应的控制MCU提供+3.3 V（50 mA）电流。

IXIDM1401_1505_O提供完整的双通道，栅极驱动器解决方案，同类产品，优于现有解决方案。该产品具有所有必要的功能，如短路保护，欠压和过压锁定保护，高级有源钳位和电源电压监控。它非常适合数字电源控制，其中典型的MCU，如Zilog系列MCU，可用于提供控制电源模块的大脑。

IXIDM1401_1505_O栅极驱动器模块实现了紧凑和薄型设计。它非常适用于逆变器，隔离式DC-DC转换器，电机驱动器， 不间断电源（UPS），可再生能源，牵引力和医疗等电源转换应用。