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BSH205G2 20 V，P沟道沟槽MOSFET
Nexperia的20 V P沟道沟槽MOSFET（BSH205G2 20 V, P-Channel Trench MOSFET）具有890 mW的增强功率耗散能力
发布时间：2018-06-14
BSH205G2 20 V，P沟道沟槽MOSFET特性
低阈值电压
增强的功耗为890 mW
低导通电阻
沟槽MOSFET技术
BSH205G2 20 V，P沟道沟槽MOSFET应用
继电器司机
高速线路驱动器
高端负载开关
开关电路
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BSH205G2R | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 20V 3.00 x 1.40mm SMT SOT23 2.3A | ￥0.53200 | 在线订购 |
应用案例
资讯Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度2021-05-27
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET将最新的高性能超结硅技术与成熟的LFPAK铜夹片技术相结合，后者因提供显著的电气性能和热性能而著称。
资讯Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在为快速开关应用提高效率2021-05-10
Trench肖特基整流器能够实现超快的开关速度，既能减少整流器的开关损耗，又减少了同一换向单元中MOSFET产生的损耗（此种配置通常用于异步开关模式功率转换器）。
资讯Nexperia推出适用于汽车应用中高速接口的新型ESD保护器件2021-04-20
全新的PESD4USBx系列总共包括十二款采用TrEOS技术的高性能4通道ESD保护器件。极低的每通道线路电容（低至0.25 pF）和低于0.05 pF的线路匹配电容保障了信号完整性。
资讯Nexperia与联合汽车电子有限公司就氮化镓领域达成深度合作2021-03-12
随着汽车电气化、5G通信、工业4.0市场的不断增长，基于GaN的主流设计正渐入佳境，势必推动2021年及未来功率半导体的需求增长。
资讯闻泰科技安世半导体投资120亿元新建12英寸功率半导体晶圆厂2021-03-01
根据闻泰科技官网消息，近日，闻泰科技安世半导体全球销售资深副总裁张鹏岗接受央视专访，就全球半导体涨价缺货的大热行情发表看法，并对安世半导体目前的满负荷生产的情况进行了介绍。
资讯Nexperia计划提高全球产量并增加研发支出2021-02-19
不断增加的汽车电气化、5G通信、工业4.0以及基于GaN的主流设计正渐入佳境，都将推动2021年及未来功率半导体的需求增长。
资讯Nexperia计划提高全球产量并增加研发支出 满足不断增长的功率半导体需求2021-02-10
通过新投资支持全球战略，满足不断增长的功率半导体需求并提升GaN工艺技术; 基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布将在2021年度大幅增加制造能力和研发方面的全球投资。新投资与公司的发展战略相吻合。去年，Nexperia的母公司闻泰科技承诺投资120亿元人民币（18.5亿美元）在上海临港新建一座300mm（12英寸）功率半导体晶圆厂。该晶圆厂将于2022年投入运营，预计年产40万片晶圆。 Nexperia今年的计划包括提高生产效率，并在其位于德国汉堡和英国曼彻斯特
资讯安世半导体恒定电流LED驱动器介绍 经济高效、可靠2021-02-17
Nexperia（安世半导体）的线性恒定电流 LED 驱动器是一种简单可靠的解决方案，它可以驱动高达 250 mA 的功率 LED， 因此能够支持不断增长的 LED 市场中的大部分关键应用。NCR 器件符合 AEC-Q101 标准，易于使用、可靠且具有成本效益，并提供多种封装选项。 特性 ▶ 高电流精度 ▶ 并联驱动器可用于提升电流能力 ▶ 能承受高功率（达1250 mW），提高稳健性 ▶ 电源电压达 75V ▶ 符合 AEC-Q101 标准 ▶ Tj = 150℃ ▶ 封装小型化，面向未来需求 ▶ 无引脚封装带
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